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半导体物理6

3.3 本征半导体的载流子浓度 3.4 杂质半导体的载流子浓度 * 适用任何非简并半导体 (2.1)中间电离区 (2.2)强电离区 当温度升高至大部分杂质都电离时称为强电离,此时 温度继续升高,当2NcND后, 中第二项为负值,此时EF下降到(Ec+ED)/2以下,继续升温使EF=ED时,施主杂质1/3电离。 由前面可知,n型杂质半导体的载流子浓度和费米能级由温度和杂质浓度所决定。对于杂质浓度一定的半导体,随着温度的升高,载流子从以杂质电离为主要来源过渡到以本征激发为主要来源,相应地,费米能级由位于杂质能级附近逐渐移近禁带中线处。 例子-p型半导体的载流子浓度 1、低温弱电离区 2、强电离(饱和区) 3、过渡区 *

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