络合剂对蓝宝石晶片化学机械抛光的影响.PDFVIP

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2017-08-14 发布于天津
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络合剂对蓝宝石晶片化学机械抛光的影响

2014 年 7 月机械科学与技术 July 2014 33 7 Mechanical Science and Technology for Aerospace Engineering Vol． 33 No． 7 第卷第期 DOI :10． 13433 /j． cnki． 1003-8728． 2014． 0716 络合剂对蓝宝石晶片化学机械抛光的影响熊，，，，，，伟白林山储向峰董永平陈均毕磊叶明富 ( ， 243002) 安徽工业大学化学化工学院马鞍山 : ，、摘要利用自制的抛光液对蓝宝石晶片进行化学机械抛光研究化学机械抛光过程中抛光压力抛光 pH 、SiO 、， MicroNano D-5A 液值 2 浓度络合剂种类及其浓度等参数对抛光速率的影响采用扫描探针显。 : 7psi 、 50 r /min 、微镜观察抛光前后蓝宝石晶片的表面形貌结果表明在抛光条件为压力转速为抛光 60 mL /min ， pH 12、SiO 5% 、 1． 25% ，液流量为抛光液组成为值 2 浓度络合剂Ⅰ及其浓度为时得到最大 35． 30 nm /min ，，Ｒa 0． 1 nm 。抛光速率为蓝宝石晶片表面质量较好表面粗糙度达到 : ; ; ; 关键词蓝宝石化学机械抛光抛光速率络合剂中图分类号:TN305. 2 文献标识码:A 文章编号:1003-8728 (2014)07-1027-04 Effect of Chelating Agent on Chemical Mechanical Polishing Quality of Sapphire Xiong Wei ，Bai Linshan，Chu Xiangfeng ，Dong Yongping ，Chen Jun，Bi Lei ，Ye Mingfu (School of Chemistry and Chemical Engineering ，Anhui University of Technology ，Maanshan 243002) Abstract :CMP (chemical mechanical polishing )experiments of sapphire substrates were carried out by using home-made slurry in order to study the effect of chelating agent on chemical mechanical polishing quality of sapphire． The