工艺和器件技术计算机辅助设计tcad仿真性能-silvaco.pdf

连接TCAD到Tapeout 工艺和器件 技术计算机辅助设计 (TCAD) 仿真性能 工艺和器件TCAD仿真性能 ATHENA - 工艺仿真系统 • ATHENA提供一个易于使用、模块化的、可扩展的平台，可用于半导体材料的模拟离子 注入、扩散、蚀刻、淀积、光刻、氧化及硅化 • ATHENA通过模拟取代了耗费成本的硅片实验，从而缩短了开发周期并且提高了成品率 • ATHENA将in-wafer工艺仿真与拓扑建模和光刻建模性能集成起来 • 包括了用于硅和化合物半导体技术的模型 • 实验验证的dual Pearson 2D注入模型附带补充的注入矩表 • 3D的二元碰撞近似值(BCA)蒙特卡罗模拟法配合基于物理的电子阻止和损伤积累模型，可 精确的预测晶片倾斜、旋转、误切、表面氧化和先前的注入损伤 • BCA注入模型支持多种晶体结构如钻石(Si, Ge, SiGe)碳硅石(4H-SiC, 6H-SiC)、闪锌矿、 (GaAs, InP, 3C-SiC)、fcc 、bcc等 • 完整层次的扩散模型，包括从经典的费尔米模型到导致多种点缺陷和诸如杂质／瑕疵对，杂 质缺陷串(如BIC,AsVC等)，和空隙束(如{311}结构)的延伸缺陷 • 扩散模型允许精确地模拟多种的热处理，包括从传统的预淀积到低能注入之后的快速退 火(RTA) • 双流基于颗粒的模型应用于多晶硅的杂质扩散 • 特别的模型用于SIGe/SiGeC 中的扩散, 包括锗和碳在杂质中的作用和填隙扩散和本征载流 子浓度 • 配合HC1、压力、杂质浓度和其它效应的杂质粘弹性相依压力的氧化模型 • 用于浮动多晶硅层的同步氧化和隆起的模型；实验证明具有增长率的的钛、钨、钴、铂硅化 物的硅化模型 • 多样的基于物理的蚀刻模型，包括蒙特卡罗等离子蚀刻、RIE、湿蚀刻，掺杂和相依压力的 蚀刻率，微负载效应 • 用于镀金和隔离层沉积的模型，包括单向、双向、半球、球形、圆锥、CVD 以及几个基于 蒙特卡罗的模型 • 化学机械抛光(CMP)模型考虑到砂路密度和遮蔽效应 • ATHENA 的Optolith模块精确地模拟光刻工艺的所有阶段，包括快速航空成像;衍射、非 工艺和器件TCAD仿真性能 平面和曝光过程中的照明度剂量效应；用于PAC扩散和光阻热熔(photoresist reflow)的物理 模型；六个开发模型 • Optolith模拟所有种类的不同形状及波长的光源 • 光学邻近修正术和相移掩膜板模拟性能 • 强大的可视性和后光刻工艺分析：提取CD，Smile图表，ED Tree树型结构 • ATHENA与其他的TCAD工具如ATLAS 、DevEdit、MaskViews、Optimizer和 VWF无缝整合 • 有效的提取临界结构和工艺控制的电气参数，例如层厚度、任何方向的纵剖图、结合深 度、临界电压、薄膜电阻 • 通过MaskViews版图编辑器或其他商用IC版图工具，运用GDS-II格式，对选择区域的工 艺(如掩模蚀刻，光刻成像)进行规格说明 • 多对象和剖面曲线的Optimizer可用于复杂的工艺优化和校准 ATLAS - 器件仿真系统 • 用于所有材料和技术的器件仿真系统 • 通用的2D/3D仿真系统 • 易用、强大、灵活 • 应用于：MOS、双极、SOI、ESD、HEMT、HBT、TFT 、Laser、VCSEL 、LED、CCD、 P-N、P-I-N、APD 、MSM、OTFT、OLED、FINFET 等. • 材料: Si, GaAs/AlGaAs, SiGe, SiC, InGaN/AlGaN/GaN, InGaAsP/InP等 • 先进的参数提取、后处理和可视性 • 以C解释器为界面的开放的环境方便用户定义材料参数和模型 • 相依合成物粒度极的模型可用于广大范围的III-V和 II-VI材料 • 先进的数值用于坚固耐用的操作 • 曲线跟踪器算法用于突然回流和故障仿真 • 静态、时域和小信号的交流仿真 • 漂流扩散、能量平衡和流体建模 工艺和器件TCAD仿真性能