聚焦离子束刻蚀多晶tini薄膜的表面形貌-上海师范大学学报.pdfVIP

维普资讯 第34卷第3期 上海师范大学学报(自然科学版) Vo1．34，No．3 2005年 9月 JournalofShanghaiNormalUniversity(NaturalSciences) 2005 ，Sep ． 聚焦离子束刻蚀多晶TiNi薄膜的表面形貌 谢东珠 (上海师范大学 数理信息学院，上海 200234) 摘 要：报道 了TiNi薄膜的聚焦离子束刻蚀特征．7Lg4蚀后的表面形貌．测量结果表 明薄膜的 表面粗糙度随刻蚀深度呈非线性变化 ，当刻蚀深度等于0．1I．zm 时，表面粗糙度为最小(5．26 nm，刻蚀前为 14．88nm)；刻蚀深度小于0．1Ixm时，表面粗糙度随刻蚀深度的增大而减小；当刻 蚀深度大于0．1Ixm时表面粗糙度 随刻蚀深度增大而增大，其原 因是刻蚀深度大于0．1m后 表面出现了清晰的周期性条纹结构．此外，表面粗糙度随聚焦离子束流的增大而减小，当离子 束流为2．5nA时，表面粗糙度从刻蚀前的 14．88nm减小到4．67nm． 关键词：形状记忆合金；离子束刻蚀 ；表面形貌 中图分类号 ：0484．2 文献标识码 ：A 文章编号 ：1000—5137(2005)03-0042-04 TiNi是一种很好的形状记忆材料，当材料加热到原发生形变的温度时其原来的形状也可以得到恢 复．特别是Ti一50％Ni合金能产生很大的恢复力且寿命长，近年来得到广泛的研究，被用于研制各种微 型器件，如微驱动器、微光开关、微机器人、微流体器件中的微阀和微泵等 ．制做微型形状记忆器件 通常采用薄膜材料，TiNi薄膜材料可以用磁控溅射沉积 和激光沉积 等方法制备．但 目前用形状记 忆材料制做的各类器件的热灵敏度还较低 ，因此其响应速度慢．要提高其热灵敏度 ，除提高材料的导热 性能外，需要减小器件的几何尺寸至微米甚至纳米级 以减小其热容量，从而提高热响应速度 ；用作微光 开关时需要平整的表面以提高反射率 ¨．作为纳米技术的主要工具之一，聚焦离子束 FIB(focusedion beam)刻蚀技术 由于离子束斑小，束流密度大，无需制版因而使用灵活特点，在微电子、光 电子和微机械 等领域的新器件开发中有着广泛的应用．此外 FIB还常用于离子束与材料表面相互作用引起的表面形 貌变化的原位分析 ．本文的工作是用 FIB的二次离子成像和原子力显微镜(AFM)研究TiNi薄膜的离 子束刻蚀特性和表面形貌．所得到的结论对用 TiNi薄膜制作微光开关的工作关有一定的参考价值，说 明在工艺中既可以将FIB用做细线条的刻蚀工具，同时还可用它使表面变平整以提高光反射率从而提 高开关的灵敏度． 1 实验方法 沉积TiNi薄膜所用基底为P一型Si(111)，沉积前基底用丙酮、乙醇在超声中各清洗3遍 ，然后用去 离子水漂洗并烘干．所用的沉积系统为磁控溅射系统 (CoaxialMSS3A／LL)，本底真空为 1．3×10～Pa， 工作气体为Ar气，沉积过程中的工作气压为0．3Pa，气体流量为40mL／min，薄膜生长过程 中基底保持 旋转以提高均匀性，温度保持450~C，靶与基底间距离为 100cm．为了控制薄膜的成份，采用双溅射靶 ，一 个是Ti0_5Ni。．材料，另一个纯Ni．薄膜的厚度经 DektakST台阶测定结果为4．5txm，薄膜的组份经 XPS 收稿 日期 ：2005-0217 作者简介：谢东珠 (1962一)，男 ，上海师范大学数理信息学院副教授 维普资讯 第3期 谢东珠 ：聚焦离子束刻蚀多晶TiNi薄膜的表面形貌 43 (X—rayPhototelectronSpectrometer)测定为 TiD_5NiDl5． 离子刻蚀实验是在Micrion9500EXFIB工作站上