第三章半导体异质性.ppt

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2017-08-10 发布于河南
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第三章半导体异质性

化合物半导体器件Compound Semiconductor Devices微电子学院戴显英2013.9.3;第三章半导体异质结; 3.1 异质结及其能带图; 3.1 异质结及其能带图; 3.1 异质结及其能带图; 3.1 异质结及其能带图; 3.1 异质结及其能带图; 3.1 异质结及其能带图; 3.1 异质结及其能带图; 3.1 异质结及其能带图; 3.1 异质结及其能带图; 3.1 异质结及其能带图; 3.1 异质结及其能带图; 3.1 异质结及其能带图; 3.1 异质结及其能带图; 3.1 异质结及其能带图;第三章半导体异质结; 3.2 异质结的电学特性; 3.2 异质结的电学特性;2、高势垒尖峰（正反向势垒异质结）的I-V特性;3.2.2 异质pn结的注入特性;思考题; 3.2 异质结的电学特性; 3.2 异质结的电学特性;第三章半导体异质结; 3.3 量子阱与二维电子气; 3.3 量子阱与二维电子气; 3.3 量子阱与二维电子气; 3.3 量子阱与二维电子气; 3.3 量子阱与二维电子气; 3.3 量子阱与二维电子气; 3.3 量子阱与二维电子气;第三章半导体异质结; 3.4 多量子阱与超晶格; 3.4 多量子阱与超晶格; 3.4 多量子阱与超晶格; 3.4 多量子阱与超晶格; 3.4 多量子阱与超晶格; 3.4 多量子阱与超晶格;第三章半导体异质结; 3.5 半导体应变异质结; 3.5 半导体应变异质结; 3.5 半导体应变异质结;第二次课堂作业