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第四章FET
第四章 单极型场效应管及其放大电路;4. 场效应管放大电路;引言;基本概念;FET分类;结型场效应管;JFET结构与符号;JFET结构（P沟道）;工作原理（1、2）;工作原理（3）;JFET特性曲线;JFET输出特性上的工作区域;JFET转移特性曲线;在图示电路中，已知场效应管的 ；问在下列三种情况下，管子分别工作在那个区？;(1) 夹断电压VP：;(5) 直流输入电阻RGS：;JFET的极限参数，当漏极功耗超过最大漏极功耗PDM时，管子发热，温度过高导致器件损坏。;金属-氧化物-半导体场效应管;MOSFET结构与符号（N沟道增强型）;N;P;P;P;P;(1) vGS对沟道的控制作用, vDS=0;(2) vDS对iD的影响;(2) vDS对iD的影响，;(2) vDS对iD的影响;(2) vDS对iD的影响;MOSFET特性曲线1;输出特性：;(1) 可变电阻区;(2) 放大区(饱和区、恒流区);a. vGS＜VT ;0;MOSFET（耗尽型）结构与符号;;增强型与耗尽型管子的区别：;场效应管放大电路;直流偏置;场效应管的小信号模型;场效应管放大电路的动态分析;小信号模型;_;2) 共漏极放大电路;2) 共漏极放大电路;小结;作业;主要内容;本章要求;
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