装配和包装.ppt

装配与封装 在芯片测试完成以后，将性能良好的芯片装配到集成电路管壳中的过程。 最终装配和封装在集成电路后道工序中是两个截然不同的过程。 装配是指将从硅片上分离出来的好的芯片用细线将芯片表面的金属压点和提供的引线框架内端互连起来。 封装是指将芯片封在一个保护管壳内。 传统装配与封装 对于所有芯片，集成电路封装有4个重要功能。 1、保护芯片以免由环境和专递引起损坏。 2、为芯片的信号输入和输出提供互连。 3、芯片的物理支撑。 4、散热。 典型的集成电路封装形式 封装层次 对于电子元件有两种不同的封装层次，本章讲的芯片的装配与封装被称为第一级封装。 第二级封装是将集成电路块装配到具有元件和连接的系统中，主要是指将集成电路块焊在印刷版上。 集成电路封装层次 传统封装 由于制造的大部分成本已经花在芯片上，因此最终装配过程成品率是至关重要的。 转统的装配由4步构造： 背面减薄 分片 装架 引线键合 1：背面减薄 在前端制造过程中，为了使破损降到最小，大直径硅片相应厚些，然而在装配开始前必须被减薄，较薄的硅片更容易划成小芯片并改善散热，有益于在薄ULSI装配中减少热应力，也减小了集成电路管壳的外形尺寸和重量。 使用全自动化机械进行背面减薄，背面减薄被精细地控制，使引入到硅片的应力降到最低，在某些情况下，在背面减薄后再淀积金属，用于改善到底座的电导率。 背面减薄示意图 2：分片 使用金刚石刀刃的划片锯把每个芯片从硅片上切下来。在划片前，将硅片从片架上取出并按正确的方向放到一个固定在刚性框架的粘膜上，该粘膜保持硅片完整直到所有芯片被划成小块。硅片被传输到带有去离子水喷淋的圆锯，然后用25um厚的金刚石锯刃，在x和y方向分别划片，用去离子水冲洗硅片以去除划片产生的硅浆残渣，而每个单独芯片由背面粘膜支撑。锯通常沿划片线切透硅片的90%~100%。 硅片锯和被划片硅片 3：装架 分片后，硅片被移到装架操作，在装架时，每个好的芯片从粘附的背面被分别挑出来，粘贴到底座或引线架上。 芯片粘结 使用下列技术之一将芯片粘结在引线架上或基座上： 环氧树脂粘贴 共晶焊粘贴 玻璃焊料粘贴 环氧树脂粘贴 环氧树脂是将芯片粘贴到引线框架或基座上最常用的方法。环氧树脂被滴在引线框架或基座的中心，芯片贴片工具将芯片背面放在环氧树脂上，接下来是加热循环以固化环氧树脂。 共晶焊粘贴 共晶：使熔点降至最低的熔态混合 使用共晶焊粘贴片在减薄后的硅片背面淀积一层金，然后用合金方式粘接到基座上，基座通常或是引线框架或是陶瓷基座。典型地，基座有一个金或银的金属化表面，当加热到420°约6分钟，它略高于Au-Si共晶温度，这种方法在芯片和引线框架之间形成共晶合金互连，共晶贴片提供了良好的热通路和机械强度。 Au-Si共晶贴片 玻璃焊料粘贴 玻璃焊料由银和悬浮在有机媒介中的玻璃颗粒组成，习惯上将芯片不经过金属化而直接粘贴在三氧化二铝陶瓷底座上以实现密封。密封是保护硅器件免受外部环境的影响，特别是潮气和玷污，用在玻璃焊料中的银和玻璃在固化过程中变软，并构成对陶瓷具有良好导热的焊接。 4：引线键合 引线键合是将芯片表面的铝压点和引线框架或基座上的电极内端进行电连接最常用的办法。将细线从芯片的压点键合到引线框架上电极内端压点，每秒能压多个压点。键合线或是金或是铝线，因为它在芯片压点和引线框架内端压点都形成良好的键合，引线直径通常是25到75微米之间。 从芯片压点到引线框架的引线键合 根据在引线端点工艺中使用的能量类型，引线键合分为以下三种： 热压键合 超声键合 热超声球键合 热压键合 在热压键合（楔压键合）中，热能和压力被分别作用到芯片压点和引线框内端电极以形成金线键合。一种被称为毛细管劈刀的键合机械装置，将引线定位在被加热的芯片压点并施加压力，然后劈刀移动到引线框架内端电极，同时输送附加引线，在那里用同样的方法形成一个键合点，这种引线键合工艺重复进行，直到所有芯片压点都被键合到它们的引线框架内端电极柱上。 热压键合 超声键合 超声键合以超声能和压力作为构成引线和压点的方式为基础，它能在不同和相同的金属间形成键合。通过在毛细管劈刀底部的孔输送引线并定位在芯片压点上方，细管针尖施加压力并快速机械振动摩擦，以形成冶金键合，一旦键合形成，工具移动到引线框架内端电极压点，形成键合，并将引线扯断。 超声波键合顺序 热超声球键合 热超声键合是一种结合超声振动、热和压力形成键合的技术，被称为球键合。热超声键合也有一个毛细管劈刀，由碳化钨或陶瓷材料制成，它通过中心的孔竖直输送Au丝。伸出的细丝