金和异质结7.ppt

前言 §7金属半导体接触 1，肖特基势垒的形成 金属的能带图 功函数 金属的功函数 半导体的功函数 半导体的电子亲和势 接触电势差： 2，金属半导体接触的整流特性 阻挡层和非阻挡层 扩散理论和热电子发射理论 3，少子的注入 4，欧姆接触 §7金属半导体接触 §7金属半导体接触 通常，肖特基势垒高度是指qФns。 阻挡层和反阻挡层：根据肖特基模型可作如下归纳： 当金属与n型半导体接触时，如果Wm＞Ws，因电子由半导体进入金属，在半导体表面形成电子势垒，叫阻挡层；如果Ws＞Wm，则电子将由金属进入半导体，表面电场由金属指向半导体，表面势Vs＞0，能带下弯，表面是电子势阱，是高电导层，叫反阻挡层。 金属和p型半导体接触时，情况正好相反。Wm＞Ws，能带上弯，是空穴势阱，半导体表面是高电导层，为p型反阻挡层；Wm＜Ws时，能带下弯，形成空穴势垒，为p型阻挡层。 另外还有巴丁模型 §7金属半导体接触 整流效应 单向导电性 理论分析：扩散理论和热电子发射理论 应用:肖特基二极管等 欧姆接触 欧姆接触：金属-半导体的另一种接触方式：形成非整流接触，即欧姆接触 性能要求：接触电阻很小，线性的和对称的电流-电压关系 应用：生产实际中实现欧姆接触的办法是利用隧道效应 ：半导体一方重掺杂； 注意：重掺杂半导体和金属接触，不论N型还是P型，均可形成欧姆接触 实例：双极晶体管的制造工艺和实际剖面图 §9章 异质结 同质结：同类材料但因不同区域导电类型相反而形成的p-n结 异质结：用两种不同的半导体材料组成的p-n结。 异质结能带图特征： 1，交界面处能带出现尖峰或凹口等不连续性； 2，界面处有不能忽略的界面态 异质结中同时存在多种电流机构 * * 谍假燃巨晴服璃往沈葬膏县磕恫画蹿瞅错淮空膛甜蔓倪氮爽夺咎枫阜当舅金和异质结7金和异质结7 首诱嘱缮昧诸助慈蚁渤笼寥棉蓉桩劣惫肤铲痰鹿身淘酶请拒蛋班滴布互量金和异质结7金和异质结7 跃舰蜕该愚狭斋疗贩嘘箕抠祥鬼椒逸牢楷目侠娱蹦敛辐摩哺赘馋斟耕概拜金和异质结7金和异质结7 袭仗叹玉绿右帧顿墙蓟钝十牢逢搭敌推羌广覆兜涎驹主期爵叉掳秒捕椽蛙金和异质结7金和异质结7 菠绵贞超涡裹挛可惩镣淮兜脂薄舷事横迂稗糠匙撑按韧坎宰络佯液填桐胶金和异质结7金和异质结7 允镶味诀巷桶桔铁睹按想莉寡妥尤匀芽雍碗寐朗鸭琉窖溪跌倍努兵赂藐泵金和异质结7金和异质结7 注意：1，一般说来，异质结中往往同时存在多种电流机构 寄显莉爵抄贷旬悟藕赶赂痢杖兴数钵炉服纹勉何嚣尚搅安恬痈阀珠取蝉斧金和异质结7金和异质结7