基于0.5 μm cmos集成电路高低压兼容技术研究 study on integrating cmos compatible high-voltage mosfets in a 0.5μm process.pdfVIP

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2017-08-13 发布于上海
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基于0.5 μm cmos集成电路高低压兼容技术研究 study on integrating cmos compatible high-voltage mosfets in a 0.5μm process.pdf

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基于0.5 μm cmos集成电路高低压兼容技术研究 study on integrating cmos compatible high-voltage mosfets in a 0.5μm process

第7茬，第9期电子与封装总第53期 2007年9月 ELECTRONICS＆PACKAGING 磁电，“于，j}嗣堵、与可靠蛀基于0．5umCMOS集成电路高低压兼容技术研究刘允．赵文彬 (中周电子科技集团公司第58研究所，江苏无锡214035) 摘要：将高压MosFETs器件集成到低压cMos数字和模拟电路中的应用越来越频繁。文章参考了 Parpja提出结构，将高压NMoS、PM0s器件制作在商用3．3V／5V0．5“mN一阱cMOs工艺中，没有同时。文章也提供了高压器件的设计思路和结果描述。关键词：高压MOs器件；低压MOs器件；O．5¨mcM0s工艺；工艺兼容技术中图分类号：TN705 文献标识码：A CMoS Study蚰Inte铲a血gCompatiMeH培h·voItage MoSFEBina Pmcess 0．5仙m UU1nIn．ZHA0Wen_bin (孔e beeIl Abstract：Therehas interestin MosFETsdevices廿Iatcanbe growi“g devel叩ing11i咖v01tage illtegrated CMOSand circuits．Inthjs n．aIld MOSFETswere w油low—vo“aged培ital analog papeLhi曲一voltagep-type fab^catedinaco姗ercⅫ3．3V／5VN—wellCMOS wjt}lout on steps，based O．5¨m process adding卸yProcess thesmlctures a1．htheabsenceofa proposedbyParpia，et inamore BiCMoS aIldP_chaIlnclwefe and only complex process，N—well stop used．Hi曲cu丌枷nhi曲·voltage fort|IeNMoS transistorswithbreakdownbetween23V～35V transistorswimdif砖rcnt Vol诅ges layoutpar耵n— Thls etefsand19VforthePMOS呦sistorswereachievcd also the c咖siderationsarId p8E，er presentsdesign rcsultsformese devices． characterization hi巾一voltage