基于0.5μm cmos工艺的高压器件 high-voltage mosfets in a 0.5μm cmos process.pdfVIP

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2017-08-13 发布于上海
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基于0.5μm cmos工艺的高压器件 high-voltage mosfets in a 0.5μm cmos process

第29卷第7期半导体学报 V01．29No．7 2008年7月 JOURNALOFSEMICONDUCTORS July，2008 MOSFETsina CMOSProcess’ High—Voltage 0．5pm Zhao Yu Wenbinl2”，LiLeilei2，and Z0ngguan92 (1SchoolMicroelectronics，Xidian710071．China) of University，Xi’an (2No．58Institute·ChinaElectronic 214035。China) TechnologyGroupCorporation·Wuxi is interestin MOSFETdevicesthat be with Abstract：There can growing developinghigh··voltage integratedlow·-voltage CMOS and circuits．Inthis n-and MOSFETsarefabricatedinacommercial digitalanalog paper，high·voltageP·type 3．3／ 5V0．5Ⅲnn-wellCMOS without n-welland currentand process addinganyprocessstepsusing P-channelstops．High high- transistorswithbreakdownbetween23and35VforthenMOStransistorswithdifferent voltage voltages layoutparame- tersand19Vforthe transistorsareachieved．Thisalso theinsulation and pMOS paperpresents technology resultsforthese devices． high-voltage MOSFET；0．5pmCMOS manufacture Keywords：high·voltageMOSFET；low·voltage process；embeddedtechnology PACC：7340L；7340Q Document CLCBumbet：TN405 code：A ArticleID：0253．4177(2008)07．1268．06 nMOSand in pMOStransistors，resulting 1 Introdu