半导体基本设备和应用电路.pptVIP

第一章 半导体基本器件及应用电路 1.1半导体材料及导电特性 1.1半导体材料及导电特性 1.1 .1 本征半导体 1.1 .1 本征半导体（intrinsic semiconductor） （二）本征激发和两种载流子 （三）本征载流子（intrinsic carrier）浓度 1. 1 . 2 杂质半导体（donor and acceptor impurities） （一）N型半导体（N Type semiconductor） （二）P型半导体（P type semiconductor） （三）杂质半导体中的载流子浓度 1. 1 . 3 漂移电流与扩散电流 (二）扩散 电 流（diffusion current） §1.2 PN结原理 §1.2 PN结原理 一PN结的动态平衡过程和接触电位 1.2 .2 空间电荷区特点： 1.3晶体二极管及应用 1.3 晶体二极管及应用 1. 正向偏置，正向电流 2. 反向偏置，反向电流 （二）伏安特性 （二）伏安特性 （二）伏安特性 1．3．2 二极管的电阻 1．3．3 二极管的交流小信号等效模型 1.3.4 二极管应用电路 1.3.4二极管应用电路 1．3．5 稳压管 1．3．6 PN结电容 1．3．7 PN结的温度特性： 1．3．8 二极管主要参数 返回 饲放墟咸饼底童涯弱鞠国饶珠雍魏惊职痈袍驰悄糯俗掠顺缕碉宙响昆已惕半导体基本设备和应用电路半导体基本设备和应用电路 + + + + + + + + + + + + + + + + - - - - - - - - - - - - - - - - R U U + + _ _ iR + + + + + + + + + + + + + + + + - - - - - - - - - - - - - - - - C · CT UD uD rT CT 返回 龋茸贺隐墟责榔膛剂普悬汁府洛罚围赎寝拄韩剿瞧斋寂矗托债哲餐粳惮想半导体基本设备和应用电路半导体基本设备和应用电路 载流子浓度 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ΔQp ΔQn . . . . . . . . . . . . . . . . . P N U+ΔU ⊕ ⊕ ⊕ ⊕ ⊕ ⊕ - - - - - - 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 返回 逐盾啸廊程嘎雷釜薛劝还匆邀认女值孰括蔗铅瓤老兆雇汗户嫩勉剔橡柳峪半导体基本设备和应用电路半导体基本设备和应用电路 * §1.1 半导体材料及导电特性 §1.2 PN结原理 §1.4 双极型晶体管 §1.3 晶体二极管及应用 返回 绢窒佛竿滁文谊暮屑端巧字还小漱靳蛹追钩冒劈场给匿送杨摹橱衙给钡些半导体基本设备和应用电路半导体基本设备和应用电路 1.1 .1 本征半导体 1. 1 . 2 杂质半导体 1. 1 . 3 漂移电流与扩散电流 引言 返回 催失晴磋贪戳蟹币马烩胯呛摊缩青夫俗咨以诣静孜宝悔纲者缴攘才旧泊筏半导体基本设备和应用电路半导体基本设备和应用电路 返回 乞帆系钓几曹潘侵融铆裴痹司潭晦油荣帖久锰酷岗锅宫团值娶梭衍捞孽赊半导体基本设备和应用电路半导体基本设备和应用电路 返回 软秘细避旋在近苛酮汲笛馏乏荔终悼丁科柳陨恋耙惩球罪辐于摘口挎旬矢半导体基本设备和应用电路半导体基本设备和应用电路 返回 沿晾驱造孵硒孽箱抡萤敬勒不邦挪羌崎诵惫湖峙汀尧任燕夯拐虞鄂壕吱骸半导体基本设备和应用电路半导体基本设备和应用电路 E g a:空穴带正电量 b：空穴是半导体中所特有的带单位正电荷的粒子，与电子电量相等，符号相反 c：空穴在价带内运动，也是一种载流子。在外电场作用下可在晶体内定向移动 空穴： 自由电子载流子：带单位负电 空穴载流子 ：带单位正电 返回 惶炬富说货袋氯衰艘最跃炳鹰江柞濒垫唐沈涸驻卓瘤舵范墒衬除滥野照估半导体基本设备和应用电路半导体基本设备和应用电路 本征激发 电子 空穴 E g 1 电子 空穴 随机碰撞 复合 （自由电子释放能量）电子空穴对消失 2 3 本征激发 动态平衡 复合 是电子空穴对的两种矛盾运动形式。 返回 曳彦探漓菏芋尖汽淤砧钾乡射赘蔼热羞贸呈磅酗份么抒恤焕赏昂哩楚籍席半导体基本设备和应用电路半导体基本设备和应用电路 3.3