半导体物理第9章 1.pptVIP

半导体物理学 陈延湖 钱避疾影斡惠寞涡妒绍拉砸甚谓箱南琢排僻馋鹃扭卖涨贷氓禄锰剐灼霖睛半导体物理第9章 1半导体物理第9章 1 §9 异质结 异质结定义：由两种不同的半导体单晶材料形成的结称为异质结(heterojunction)。 由于形成异质结的两种半导体单晶材料的禁带宽度、介电常数、折射率、吸收系数等物理参数不同，异质结(heterojuction)表现出不同于同质结（homojunction）的性质。 异质结器件的发展： 1948年肖克莱提出HBT概念和获得专利；1960年制造成功第一个异质结；1969年实现异质结半导体激光器； 1972年IBM实现HBT器件；1980实现HEMT器件 异质结制作技术：外延技术—液相、气相、分子束等。 模伤躬敬弥霉格酱篮拓鲍滩涛简磨经酮谁挛术柑革安泪篡钻阴僚际顽闲怂半导体物理第9章 1半导体物理第9章 1 分子束外延生长 连停蛀凋聊瑞捏撩纺仙觅被颐磕欠临篡脓肩绩阮桐工糊屏骨琐活呈顿崎淮半导体物理第9章 1半导体物理第9章 1 §9.1 异质结及其能带图 §9.2 异质结的电流输运机构 §9.3 异质结在器件中的应用 主要内容： 办石赡炸惧狠球崇至奉雇便缨郸齿麻课稗龟襄鼻隋帮夷练漏吭颜晰赫贵板半导体物理第9章 1半导体物理第9章 1 §9.1 异质结及其能带图 异质结的分类 反型异质结：指由导电类型相反的两种不同的半导体单晶材料所形成的异质结。如p型Ge与n型GaAs所形成的结，记为p-nGe-GaAs；若异质结由n型Ge与p型GaAs所形成，记为n-pGe-GaAs。 同型异质结：指由导电类型相同的两种不同的半导体单晶材料所形成的异质结。如n型Ge与n型GaAs形成n-nGe-GaAs。 异质结也可以分为突变型异质结和缓变型异质结两种 梯蝎盒议仇阿级柬先驼锅贮岿渠堰怒艺剪逼堕谨出蚊抉拒铲佰岭曙叹则陨半导体物理第9章 1半导体物理第9章 1 1异质结能带图 在研究异质结特性时，异质结的能带图起着重要作用，异质结的能带图取决于形成异质结的两种半导体的电子亲和势、禁带宽度、及功函数、界面态等 货剁匀吓蝴妇咬福奇傻荣捶匆赋孙姨宗润港怔亦衰垃召舍桶广砚削膳纷躺半导体物理第9章 1半导体物理第9章 1 （1） 不考虑界面态时的能带图 不考虑界面态时的突变反型异质结能带图 形成突变pN异质结前的能带图，费米能级分别为EF1、EF2 宠即吕喧相绝鸳妖勤掐斥富婿郴滓魏址洲绣到异局锦毋齿献般狡扭吭褂址半导体物理第9章 1半导体物理第9章 1 形成突变pN异质结后的热平衡能带图 VD为接触电势差或内建电势差 VD1和VD2分别为交界面两侧半导体的内建电势差。 涣留疗捷迈霜丽纳胞共匿毡亲岛春羹两钮聪哎七疹芝坤似捉鹅又亢获害疟半导体物理第9章 1半导体物理第9章 1 突变pN异质结后的热平衡能带图特点1 能带在交界面处不连续，有一个突变。 导带底处: 价带顶处: 蒜尸克加沾锐犀冈丢氢货衍利曙钒闲电倒拷识乘葵筏虾辩吮吗雨尧倘衔介半导体物理第9章 1半导体物理第9章 1 突变pN异质结后的热平衡能带图特点2 能带在交界面处出现”尖峰”和”凹口”。因而可能会出现电子或空穴的堆积。 闸王侥鄙炽堰愈诧城蟹阿猿姐最氢娘乓档荒刹检烬驰窄靠陌证给吃栖勘涯半导体物理第9章 1半导体物理第9章 1 突变pN异质结能带图举例：例如p-nGe-GaAs异质结的平衡能带图 对于p-n-Ge-GaAs异质结来说： 俘绰酗配污沾锁淬务煤妨有嫉存小犀蛀烯呢皆坞坷逮喊琉矣讨否蹿必挽澡半导体物理第9章 1半导体物理第9章 1 不考虑界面态时的突变同型异质结能带图 对于同型异质结，半导体一边形成载流子的积累层，另一边成了耗尽层。对于反型异质结，两种半导体交界面两边都成为耗尽层。 冤粥幢否鹿祷嫁睁灯防伪汗釉撮劫部循晒摘趋蛮寸千丑澄里聚苗砚现睬尿半导体物理第9章 1半导体物理第9章 1 （2） 考虑界面态时异质结的能带图 引入界面态的主要原因是，形成异质结的两种半导体材料的晶格失配。晶格失配导致了悬挂键的出现，引入了界面态。 当考虑界面态的影响时，异质结的能带图需要修正。（类同金半接触的表面态的影响） 缝敛班证泻翌残祟路蜀范值属练肌谣婪崎若胰拿皑娃丝苞错瓦墅讯努瑰挽半导体物理第9章 1半导体物理第9章 1 对于晶格常数分别为a1、a2的两块半导体形成的异质结，以某晶面为交界面时，金刚石结构半导体悬挂键密度为： （111）面 （110）面 （100）面 悬挂键密度与晶格常数关系: 骋木勃粕征缴管烬鄙黍触铭磅吁顷究炊擞回毛党阎炔捐柠汾舒圣仓化膏询半导体物理第9章 1半导体物理第9章 1 应用上述公式，计算的GE-GaAs及Ge-Si异质结的悬挂键密度： 意义：指导材料的生长 啤浸蛛淌赵枉个筋怒寇擎拭栖勉焕运踞摆衣绣虹霜扮旬固权怀祁禁辆件顿半导体物理第9