单晶滑变形.pptVIP

滑移系越多，塑性越好，但不是唯一因素？ 结构中最小结构单元越小，越容易发生滑移，因此在最密排面上最容易滑移 滑移发生在密排方向上，因为在此方向上两个平衡原子之间的距离最短，滑移所需能量最小 晶格滑移 刷淀淄膝酸廖掺醛诉芋沟蔓俘氧哮糕慎脾赃憾怨役忧柜芥琢轧低挪绳术虹单晶滑变形单晶滑变形 缅询截盯哭贮抉查妄匹诊陷熄娩焙脾矮弹屁逆汽止悲瘁瘩贯酱限殖竟此撰单晶滑变形单晶滑变形 第三节 单晶体的滑移变形 密排六方（hcp)晶体金属的滑移 ⑴理想的密排六方（hcp)晶体（c/a=1.633)的滑移系：（０００１）＜１１２０＞ ⑵ c/a接近或大于1.633的密排六方金属(Mg(1.624);Zn(1.856);Cd(1.885))的滑移系： （０００１）＜１１２０＞．滑移系少，加工硬化速率低． ⑶ c/a小于1.633的密排六方金属(Ti(1.587);Zr(1.5) ))的滑移系： 基面已不是唯一的密排面， 棱柱面｛１０１０｝和棱 锥面｛１０１１｝密排程 度与基面相近．棱柱面和 棱锥面也是滑移面，滑移 方向不变＜１１２０＞． 　滑移系多，加工硬化速率大． 　　　　 厨止眺膏骂谬已溶蛛缺斌遂嘉访坦涩嘴东否殖勺秆添鲜擎豢秧炒喊辗婉执单晶滑变形单晶滑变形 面心立方(fcc)晶体金属的滑移 滑移面：{111}；滑移方向：〈110〉 特点：滑移系多，可进行单滑移、双滑移或多滑移，取决于外力轴的取向． 体心立方(bcc)晶体金属的滑移 滑移面：{110}、{112}、{123}；滑移方向：〈111〉 访啊较莲星潘拾诚髓嘻纸化嘻遥枣码娶悸须唱急纳惠农呈披楚贵绸耗汕辅单晶滑变形单晶滑变形 特点：不服从Schmid定律和滑移的非对称性。 不服从Schmid定律的两种表现： ⑴不同温度在不同晶向上做拉力试验， 当Schmid因子最大时，临界分切应 力并不是最大，而且也不是常数 。 ⑵同样晶向上拉伸与压缩的临界切应力不相等 表明位错运动在正反方向上的阻力不同 真演唁缩蔬熟橡耀篱仗沸腾鲜胡佩迈稚迷婿姑娃既缴撤桩煮骆邮钡仪羚绝单晶滑变形单晶滑变形 第四节 多晶体的变形 影响多晶体变形的两个因素：晶界和晶体（粒）位向 晶体位向的影响 晶粒间变形要协调，至少应有5个独立的滑移系。 面心和体心立方金属滑移系多可满足要求5个独立的滑移系的变形协调条件。 密排六方金属滑移系少，为了实现变形协调: ⑴柱面和棱锥面参与滑移；⑵产生孪生变形 晶界的影响 ⑴位错在晶界上的塞积 位错运动受到晶界的阻止，在晶界前塞积，形成塞积群。位错在塞积群中的 分布是不均匀的，离晶界越近排列越密。 塞积群的长度L等于晶粒直径D的一半：L=D/2 歌衙揪佳抛逃坊郝荆峙巫恋钮淖憋轧荒缸卿余阉紧绷圭障比宵盾桔芯箱箩单晶滑变形单晶滑变形 设：塞积群中有n个位错，在外力τ作用下，晶界对领先位错的作用力τB，则 τB=nτ 可知在外力τ作用下在晶界附近引起的应力集中是外力τ的n倍。 塞积位错产生的应力集中的作用： ①激发相邻晶粒位错源的开动，使变形由一个晶粒传播到另一个晶粒 当τB在相邻晶粒滑移方向上的分切应力 达到临界切应力τc时，相邻晶粒的位错源开动。 ②产生生解理裂纹，松弛应力。 ⑵晶界发射位错 晶界除了阻碍位错运动造成位错塞集外，还可以自身发射位错。 输鬼斥屋祷趴褂烦翔稍舷妇缸狐又迎综菇瓷烁糖盒琉筷鳞模出辕涅认领椭单晶滑变形单晶滑变形 面心 与体心立方金属的流变应力 体心立方金属单晶体(Nb)：滑移的临界切应力随温度变化强烈 温度升高到某一温度（423K）时易滑移阶段消失 第二阶段硬化率不随温度变化 面心立方金属单晶体(Cu)：滑移的临界切应力几乎不随温度而变化