基于反常霍尔效应的薄膜磁滞回线测量系统的原理与设计 principle and design of film hysteresis loop measurement system based on abnormal hall effect.pdfVIP

基于反常霍尔效应的薄膜磁滞回线测量系统的原理与设计 周卓作，杨晓非，李震，董凯锋 (华中科技大学电子科学与技术系，湖北武汉430074) 摘要：随着制备工艺和要求的提高，磁性薄膜样品的厚度越来越薄，采用传统的测量方法难以准确测量 其磁滞回线。本文探讨反常霍尔效应产生原理，提出了一种新的磁滞回线测量方法，以反常霍尔效应所产生的 反常霍尔电压与薄膜样品的磁化强度成ff-}k,为测量原理，采用四探针测量方式，在薄膜样品表面水平通以恒定 电流后，测量其垂直方向的反常霍尔电压，从而最终绘制样品的磁滞回线。大量实验表明，该测量方法稳定可 靠，精度较高，符合测量要求。 关键词：反常霍尔效应；磁滞回线；薄膜；测量系统 中图分类号：TM936．3 文献标识码：B 文章编号：1001．3830(2011)02．0043．03 and offilm measurement design Principle hysteresisloop