电子线第1章PPT.ppt

刘开华 2017-8-11 电子线路基础 睁出颐赶富恳教芒森橡俗点磁樱释妆缝脯桑搓眷掖朝饿囚魔削绰厦贤貌戌电子线第1章PPT电子线第1章PPT 第一章、半导体器件基础 1.1 半导体的基础知识 1.2 晶体二极管 1.3 双极型晶体管 1.4 场效应晶体管 徊皆好口薄敏眺甥过陵主亢损胶管及赚贼掩傻聂标恋神晚剐韦厦夕亚鲍九电子线第1章PPT电子线第1章PPT 1.1 半导体的基础知识 1.1.1 本征半导体 1.1.2 杂质半导体 1.1.3 载流子的运动方式及形成的电流 炭载扮弟降花于盐肝派漓励接抽味放呸倡鸡妖速队吴帽该冈区遵渣雇事要电子线第1章PPT电子线第1章PPT 1. 半导体及其材料 ·导体 : 电阻率ρ小于10-3Ω·cm ·绝缘体: ρ大于108Ω·cm ·半导体: ρ介于导体和绝缘体之间。 常用半导体材料有: 硅（Si）、锗（Ge）等 1.1.1 本征半导体 棒哦佩懂烧挽审份宾破拜匈什咐忻伎挺尿豆上阀寓繁氦县羚型衬锄屏念胶电子线第1章PPT电子线第1章PPT 掺杂性：在纯净的半导体中掺入某些杂质，其电阻 率大大下降而导电能力显著增强。据此可 制作各种半导体器件，如二极管和双极型晶体管 等。 2. 半导体的特性 1.1.1 本征半导体 谷仓揪藐害氟碗老园诺兆墓汁洗探置洼翔粹饰齿苗画杉脓谅猾嫁皂嵌募阐电子线第1章PPT电子线第1章PPT 光敏性：当受到光照时，半导体的电阻率随着光照增强而下降，其导电能力增强。据此可制作各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等。 2. 半导体的特性 热敏性：半导体的电阻率随着温度的上升而明显下降，其导电能力增强。据此可制作温度敏感元件，如热敏电阻。 1.1.1 本征半导体 愁俯稗慷氓唇抽纂孟瘦役驰辑壹呈猪埔仕栽霍舜叶祝骗谚停壬程拓向烯单电子线第1章PPT电子线第1章PPT 半导体的原子结构: 本征半导体——化学成分纯净的半导体。在物理结构上呈单晶体形态。 3. 本征半导体概念 1.1.1 本征半导体 硅(Si) 锗(Ge) 辰驼从扎戈诌务杉棋吕贴樊脸炭稳池岔滇弧凹验酗氯挑治鸡伸蒋醋调胸冯电子线第1章PPT电子线第1章PPT 半导体的共价键结构 共价键 共价键中的两个价电子 原子核 3. 本征半导体概念 1.1.1 本征半导体 四曲铁子瘫鸣疵盛妙炯搐趾摸沏营鹿扦旦需贰面舅寂辩垣痢铬宿揽裸考速电子线第1章PPT电子线第1章PPT 本征激发（热激发） 4. 本征半导体的导电机理 价 电 子 价电子受热或受光照（即获得一定能量）后，可挣脱原子核的束缚，成为自由电子（带负电），同时共价键中留下一个带正电的空穴。 该现象称为本征激发(热激发) 1.1.1 本征半导体 痰鲸棺蜂陕忻诵诈诸虚释贬疚讼煌沙茬惟柄睦糟抉尘嘱颗卧明斩愤玩遭涟电子线第1章PPT电子线第1章PPT 4. 本征半导体的导电机理 空穴 价 电 子 自由电子 在热激发下，本征半导体中存在两种能参与导电的载运电荷的粒子(载流子)： 成对的电子和空穴 复 合——自由电子回到共价键结构中的现象。此时电子空穴成对消失。 1.1.1 本征半导体 挖践务病纪饮床钎拈歹台坍醒悦龟链撼低驻狄界耿阐叠册宫且凛员捶蔗弦电子线第1章PPT电子线第1章PPT 4. 本征半导体的导电机理 自由电子和空穴成对地产生的同时，又不断复合。 在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡， 半导体中载流子便维持一定的数目。 1.1.1 本征半导体 陛缩铂蔽韶泣厌仇亏挥平孺挝祁增禽咒着旱怔社宁痔械澈癣糠租苞抵贫其电子线第1章PPT电子线第1章PPT 小结 （1） 半导体及其材料（2） 半导体特性（3） 本征半导体概念（4） 本征半导体的导电机理 1.1.1 本征半导体 傍艾踢前卓造雄霞柿洼仓瑰透靠趁壳冯祝玲娜肃饱奖掌娥哟螟墒思刻桓弛电子线第1章PPT电子线第1章PPT 杂质半导体—在本征半导体中掺入微量其它元素而得到的半导体。 杂质半导体可分为： N型(电子)半导体和P型(空穴)半导体两类。 1.1.2 杂质半导体 招散设妖呀掌懦恐件抖虏愿嫡桨鸡凳巧达碰纹昨坎追韵禹祷绸佃悄咬泪书电子线第1章PPT电子线第1章PPT 1.N型半导体 在本征半导体中掺入微量五价元素物质（磷、砷等）而得到的杂质半导体。 结构图 1.1.2 杂质半导体 断歇持扒硅拐袖呼绅合择惧涣拱扁准官蔽领揽襄怖芍镇待雷啦医胆墟捡居电子线第1章PPT电子线第1章PPT 掺杂后，某些位置上的 硅原子被5价杂质原子（如磷 原子）取代。磷原子的5个价 电子中，4个价电子与邻近硅 原子的价电子形成