非犮轴取向生长研究.PDFVIP

第 卷 第 和 期 物 理 学 进 展 ， ２６ ３ ４ Ｖｏｌ．２６Ｎｏ．３ａｎｄ４ 　 　 　 　 　 年 月 ， ２００６ ９ ＰＲＯＧＲＥＳＳＩＮＰＨＹＳＩＣＳ Ｓｅ．２００６ 　 ｐ 文章编号： （ ） 、 １００００５４２２００６０３０４０４９５０５ 含 层状钙钛矿型铁电薄膜在金属电极上的 Ｂｉ 非 轴取向生长研究 犮 刘晓林，陈晓琴，祁亚军，卢朝靖 （湖北大学材料科学与工程学院，武汉 ４３００６２） 摘 要： 用 工艺直接在 （ ） ／ ／ ／ 衬底上分别制备了 ／ 轴择优、 ｓｏｌｅｌ １１１ＰｔＴｉＳｉＯ Ｓｉ ６２％犪犫 ６５％ 　 　 ｇ ２ （ ）／（ ）择优、高 轴择优取向生长的 （ ）铁电薄膜。发现 薄膜 ０１４ １０４ 犮 Ｂｉ Ｎｄ ＴｉＯ ＢＮｄＴ ＢＮｄＴ ３．１５ ０．８５ ３ １２ 的铁电、介电和压电性能强烈依赖于晶粒的择优取向，从而证实 中自发极化矢量 靠近 ＢＮｄＴ 犘狊 犪 轴。透射电镜观察表明，非 轴取向薄膜中的柱状晶粒从底电极 表面一直延伸到薄膜上表面， 犮 Ｐｔ 而 轴择优取向薄膜中的晶粒细小且主要呈等轴状。讨论了含 层状钙钛矿型铁电薄膜在金属 犮 Ｂｉ 电极上的择优取向生长机制。 关键词：凝聚态物理学；薄膜物理学；溶胶 凝胶；取向生长；铁电体 － 　 中图分类号：Ｏ４８４ 文献标识码： Ａ 　 　　　　　　　 　 ０ 引言 　 ［］ ［，］ 含 层状钙钛矿型铁电薄膜如 １ 和稀土改性的 ２３ 等，在金属 Ｂｉ ＳｒＢｉＴａＯ ＢｉＴｉＯ Ｐｔ ２ ２ ９ ４ ３ １２ 电极上耐疲劳，被认为是研制铁电存储器的最佳 候选材料。高密度存储器要求各铁电单元的面内 尺寸小到 １００ｎｍ，恰好对应着多晶薄膜的晶粒尺 寸。晶粒的随机取向会增加铁电单元性能的分散 多样性，影响存储器