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电池线工艺流程 训练支援部 电池种类 太阳电池—将太阳光能直接转换为电能的半导体器件 ● 种类 ● 硅太阳电池 1)?Si太阳电池 1)单晶硅片 2)?GaAs太阳电池 2)多晶硅片 3)?染料敏化电池 3)非晶硅薄膜 4)?Cu2S电池 4)多晶硅薄膜 目前多数公司主要生产单晶、多晶太阳电池 电池型号（以边长尺寸定义） 103×103mm 125 ×125mm 150 ×150mm 156 ×156mm 如何区分单晶与多晶硅片 由于单晶和多晶硅片的生产工艺不一，多晶是正方的，单晶硅片的四个边缘是有弧度的 对于成品电池更好区分： 单晶是有绒面的，而多晶由于晶界排列不整齐我们看到的多晶硅片表面有花纹。 太阳电池的工作原理  —光生伏特效应 吸收光子，产生电子空穴 电子空穴对被内建电场分离 在PN结两端产生电势 * 将PN结用导线连接，形成电流 在太阳电池两端连接负载， 实现了将光能向电能的转换 太阳电池电性能参数 短路电流（Isc）：理想情况下，等于光生电流IL。 影响因素：面积、光强、温度 多晶硅太阳电池 32mA左右 单晶硅太阳电池 34mA左右（绒面） 开路电压（Voc）： 影响因素：光强、温度、材料特性 晶体硅太阳电池 600mV左右 填充因子（FF）：最大输出功率与开路电压和短路电流乘积之比 FF=Pm/VOCISC=VmIm/VOCISC 影响因素：串联电阻、并联电阻 转换效率（η）： 电池线操作流程 装片 → 检查花篮 → 制绒 → 清洗 → 甩干 → 扩散前装片 → 扩散 → 测方块电阻 → 扩散后卸片 → 刻蚀夹片→ 刻蚀 → 刻蚀装片 → 去磷硅玻璃 → 甩干 → PECVD上料插片 → PECVD镀膜 → PECVD下料卸片 → 丝网上料 → 丝网第一道印刷 → 烘箱 → 丝网第二道印刷 → 烘箱 → 丝网第三道印刷 → 烧结 →分类检测 → 质检 → 包装 → 入库 制绒 通过化学反应，使硅片表面形成更加明显的凹凸面（金字塔绒面）效果，增加光在电池片表面的折射次数,增加对光的吸收 。 原理:利用碱(NaOH)与异丙醇(（CH3）2CHOH)的混合液对（100）晶向的单晶硅片的各项异性腐蚀，在表面形成类似“金字塔”状的绒面，有效增加硅片对入射太阳光的吸收，从而提高光生电流密度。 酸洗 对制好绒面的硅片的表面进行酸洗，增加硅片的洁净度。 酸洗流程为： HF→去离子水(循环水)→HCl→去离子水(循环水)→喷淋 HCL去除硅片表面的金属离子 HF去除硅片表面的氧化物 太阳电池制造过程-化学清洗 HCL去除硅片表面的金属离子 HF去除硅片表面的氧化物 甩干 甩干机从字面上来看其实就是利用电机的高速旋转产生的离心力作用，达到硅片表面干燥的作用。 工作流程：先电机低速旋转喷水的情况下，使水把硅片表面附着的微小颗粒带走；再电机高速旋转喷入高温氮气的条件下使硅片表面快速干燥。达到我们所需要的效果。 扩散 原理：POCL3在通O2的情况下，高温分解成P2O5， P2O5与Si反应生成SiO2和P，P沉积在硅片表面，并向硅片内部扩散，从而使硅片内部形成PN结。 目的：在硅片内部形成PN结。 反应方程式： POCl3 + O2 → 2P2O5 + 6Cl2↑ 2P2O5 + 5Si → 5SiO2 + 4P↓ 太阳电池制造过程-扩散 在P型半导体表面掺杂五价元素磷 在硅片表面形成PN结 外层：磷硅玻璃 中间：N型半导体硅 P型半导体硅 等离子体刻蚀原理 等离子体刻蚀是采用高频辉光放电反应，使反应气体激活成活性粒子，如原子或游离基，这些活性粒子扩散到需刻蚀的部位，在那里与被刻蚀材料进行反应，形成挥发性反应物而被去除。 太阳电池制造过程-等离子体刻蚀 去