电子技术实验报告—实验5场效应管放大器选读.docxVIP

电子技术实验报告实 验 名 称：场效应管放大器系 别：班 号：实验者姓名：学 号：实 验 日 期：实验报告完成日期：一、实验目的1. 学习场效应管放大电路设计和调试方法；2. 掌握场效应管基本放大电路的设计及调整、测试方法。二、实验原理1. 场效应管的主要特点场效应管是一种电压控制器件，由于它的输入阻抗极高（一般可达上百兆、甚至几千兆），动态范围大，热稳定性好，抗辐射能力强，制造工艺简单，便于大规模集成。因此，场效应管的使用越来越广泛。场效应管按结构可分为MOS型和结型，按沟道分为N沟道和P沟道器件，按零栅压源、漏通断状态分为增强型和耗尽型器件，可根据需要选用。那么，场效应管由于结构上的特点源漏极可以互换，为了防止栅极感应电压击穿要求一切测试仪器，都要有良好接地。2. 结型场效应管的特性(1) 转移特性（控制特性）：反映了管子工作在饱和区时栅极电压VGS对漏极电流ID的控制作用。当满足|VDS||VGS|－|VP|时，ID对于VGS的关系曲线即为转移特性曲线。如图1所示。由图可知。当VGS=0时的漏极电流即为漏极饱和电流IDSS，也称为零栅漏电流。使ID=0时所对应的栅极电压，称为夹断电压VGS=VGS(TH)。⑵ 转移特性可用如下近似公式表示：这样，只要IDSS和VGS(TH)确定，就可以把转移特性上的其他点估算出来。转移特性的斜率为：它反映了VGS对ID的控制能力，是表征场效应管放大作用的重要参数，称为跨异。一般为0.1~5mS（mA/V）。它可以由式1求得：⑶ 输出特性（漏极特性）反映了漏源电压VDS对漏极电流ID的控制作用。图2为N沟道场效应管的典型漏极特性曲线。由图可见，曲线分为三个区域，即Ⅰ区（可变电阻区），Ⅱ区（饱和区），Ⅲ区（截止区）。饱和区的特点是VDS增加时ID不变（恒流），而VGS变化时，ID随之变化（受控），管子相当于一个受控恒流源。在实际曲线中，对于确定的VGS的增加，ID有很小的增加。ID对VDS的依赖程度，可以用动态电阻rDS表示为：在一般情况下，rDS在几千欧到几百欧之间。⑶ 图示仪测试场效应管特性曲线的方法：①连接方法：将场效应管G、D、S分别插入图示仪测试台的B、C、E。②输出特性测试：集电极电源为+10v,功耗限制电阻为1kΩ；X轴置集电极电压1V/度，Y轴置集电极电流0.5mA∕度；与双极型晶体管测试不同为阶梯信号，由于场效应管为电压控制器件，故阶梯信号应选择阶梯电压，即：阶梯信号：重复、极性：一、阶梯选择0.2V∕度，则可测出场效应管的输出特性，并从特性曲线求出其参数。③转移特性测试：在上述测试的基础上，将X轴置基极电压0.2V∕度，则可测出场效应管的转移特性，并从特性曲线求出其参数。⑷ 场效应管主要参数测试电路设计：①根据转移特性可知，当VGS=0时，ID=IDSS，故其测试电路如图3所示。②根据转移特性可知，当ID=0时，VGS=VGS(TH)，故其测试电路如图4所示。3. 自给偏置场效应管放大器自给偏置N沟道场效应管共源基本放大器如图5所示，该电路与普通双极型晶体管放大器的偏置不同，它利用漏极电流ID在源极电阻RS上的压降IDRs产生栅极偏压，即：VGSQ=-IDRS由于N沟道场效应管工作在负压，故此称为自给偏置，同时Rs具有稳定工作点的作用。该电路主要参数为：电压放大倍数：AV=V0/Vi=-gmRL式中：=RD‖RL‖rDS输入电阻：Ri≈RG输出电阻：RO=RD‖rDS4. 恒流源负载的场效应管放大器由于场效应管的gm较小，提高其放大倍数的一种方法代替，如图6所示。它利用场效应管工作在饱和区时，静态电阻小、动态电阻较大的特性，在不提高电源电压的情况下，可获得较大的放大倍数。5. 场效应管放大器参数测试方法⑴静态工作点调试：同单极放大器调试方法；⑵电压放大倍数测量：同单极放大器调试方法；⑶放大器频率特性测量：同单极放大器调试方法；⑷输入阻抗测量：放大器输入阻抗为从输入端向放大器看进去的等效阻抗，即：Ri=Vi/Ii该电阻为动态电阻，不能用万用表测量。输入阻抗Ri测量装置图如图7所示。测量图中，R为测量Ri所串联在输入回路的已知电阻（该电阻可根据理论计算Ri选择，为减小测量误差，一般选择与Ri同数量级），其目的是避免测量输入电路中电流，而改由测量电压进行换算，即：上述测量方法仅适用于放大器输入阻抗远远小于测量仪器输入阻抗条件下。然而，场效应管放大器输入阻抗非常大，上述设计放大器要求：Ri500kΩ，而毫伏表Ri约1MΩ，故测量将产生较大的误差，同时将引入干扰。故不能用毫伏表测量Vi。同时，由于放大器输出阻抗较小，毫伏表可直接测量。因而采用测量输出电压换算求Ri。当电路不串入R时，Vi1=Vs，