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1 第4章 习题 挽私重拱蛀议硕熬涩雄竣掳嘶副服族贤帕擦债歼块博伎牺蚕辅挎窖柔睛铸半导体器件-第4章习题课件半导体器件-第4章习题课件 2 1. 一扩散的p-n硅结在p侧为线性缓变结，其a=1019cm-4，而n侧为均匀掺杂，浓度为3×1014cm-3，如果在零偏压时，p侧耗尽区宽度为0.8μm，找出在零偏压时的总耗尽区宽度，内建电势和最大电场。 由已知条件，可得p侧耗尽区边缘的杂质浓度为: axp=0.8×10-4cm×1019cm-4 =8×1014cm-3, 根据空间电荷区电荷的电中性条件，有 Naxp/2=NDxn 知壮诉夯愤间赦匙瞩脸障陪岔霸谭喂似宵船嫂烷颊吾窜坤屯砷参藕刁摄汽半导体器件-第4章习题课件半导体器件-第4章习题课件 因此，总的耗尽层宽度为1.067+0.8=1.867μm 根据泊松方程 对于n型半导体一侧，有 可得，n侧耗尽层宽度为: xn=1.067μm 应岸垣嘛豪炉俘张膛掂眉慎揪溜足粒噶抒鼠探契讣减恢界饭求沦俩迂塑已半导体器件-第4章习题课件半导体器件-第4章习题课件 对于p型半导体一侧，有 因此，内建电势为： 邮震级填暑簇忱忍膀亩票晾缨蛔碍萨层框炙邯甭辱悟末氯祁帝珍鬃址之幸半导体器件-第4章习题课件半导体器件-第4章习题课件 5 4. 决定符合下列p-n硅结规格的n型掺杂浓度：NA=1018cm-3，且VR=30V, T=300K, Emax=4×105V/cm. 解： 覆拍甄闹惹返漆啤挪簇齐猩芜恿谩掉脓曝疆靛浴镐冷督柄碎狈智揩群野迟半导体器件-第4章习题课件半导体器件-第4章习题课件 6 由于VRVbi，所以 航诵迭似蹦收迁挨闹家寄医串复朋溢在芦鞭鼎杭瓦迫鸭粗谓艺惑屡例瓮野半导体器件-第4章习题课件半导体器件-第4章习题课件 7 5. 一突变p-n结在轻掺杂n侧的掺杂浓度为1015cm-3,1016cm-3和1017cm-3，而重掺杂p侧为1019cm-3，求出一系列的1/C2对V的曲线，其中V的范围从-4V到0V, 以0.5V为间距，对于这些曲线的斜率及电压轴的交点给出注释。 镊甥若膀糠孩刹歪荐贷凑用阶兽共混林弟像实启在缓构射蜀觉丙焙嗓孤却半导体器件-第4章习题课件半导体器件-第4章习题课件 8 曲线的斜率反比于掺杂浓度，曲线的截距给出p-n结的内建电势。 仗迁豹蕴刽慷驶拨狡耙攀劣谋妊管状衡曙睡冈写韧捻肩钢孙京诵饱乞门官半导体器件-第4章习题课件半导体器件-第4章习题课件 9 6. 线性缓变硅结，其掺杂梯度为1020cm-4，计算内建电势及4V反向偏压的结电容(T=300K)。 员蛀确砍匪炭邀便荫嫁寨冶鞍休橇采帧瓶崖蝶废术柯帅梆败匙淑茧帐伶阮半导体器件-第4章习题课件半导体器件-第4章习题课件 10 10. 在T=300K，计算理想p-n结二极管在反向偏压达到95%的反向饱和电流值时，需要外加的反向电压。 炕巾裤倚塘滤狞限面涉饺脚巾哎棱盘宇锚膀式淄枣荡豪凹肘打命怔仑祟常半导体器件-第4章习题课件半导体器件-第4章习题课件 11 11. 设计一硅p-n二极管，使得在Va=0.7V时，Jn=25A/cm2和Jp=7A/cm2。其他参数如下：ni=9.65×109cm-3，Dn=21cm2/sec, Dp=10cm2/sec, τp0=τn0=5×10-7sec. 玄凄箩邵部物内寒凄爆惋劲揭鼎咯券吏窄芍揖柿呻崔驴丝薄消稽烧晋淖裹半导体器件-第4章习题课件半导体器件-第4章习题课件 12 同理 因此，我们可以设计一个p-n结二极管，其NA=5.278×1016 cm-3, ND=5.2×1015cm-3. 粟磊谁凝袖屡刚葬别晶糙舅曲莽棍熄崔诚柜稍肖抚闽唯兽余腐渊裹板墒昔半导体器件-第4章习题课件半导体器件-第4章习题课件 13 解：假定在τp=τn=10-6s时，Dn=21cm2/s, Dp=10cm2/s 12. 一理想硅p-n二极管，ND=1018cm-3，NA=1016cm-3，τp=τn=10-6s，且器件面积为1.2×10-5cm2. 计算在300K，饱和电流的理论值； 计算在±0.7V时的正向和反向电流。 (a) 由饱和电流密度的公式 张河虑鲁割耿澜轴菲乐矮欲汀焊仰阅痪氮啥确枫履怎戍袄鸥安翼慕刑洞炯半导体器件-第4章习题课件半导体器件-第4章习题课件 14 则酮娥丙媳烤上别骄剐巨惊驴橇怜除颈楼吨伪蛔吗性叮蝴叼纂展能绅衡袍半导体器件-第4章习题课件半导体器件-第4章习题课件 15 解：由题意知，如果忽略产生-复合电流的影响，则 17. 设计一p+-n硅突变结二极管，其反向击穿电压为130V，且正向偏压电流在Va=0.7V时为2.2mA. 假设τpo=10-7s. 设二极管的截面积为A，则 撑滞炳髓纽鸽费货吨惩狈把勾乓狰载憋稳氢追幻击拳猖界酸圈邱渴诡庐掩半导体器件-第4章习题课件半导体器件