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金属多孔硅硅结构发光器件输运特性的研究 transport characteristics of light-emitting devices with metalporous siliconsilicon structure
SEMICONDUCTOROPTOELECTRONICSNo．4
V01．29 Aug．2008
金属／多孑L硅／硅结构发光器件输运特性的研究
卓敬清 李宏建1，夏 辉1，崔昊杨2
中南大学物理科学与技术学院。湖南长沙410083；
2．中国科学院上海技术物理研究所，上海201805)
摘 要： 基于Vlkulov等人对金属／多孔硅／硅结构输运特性的研究，分析了载流子在金属／
多孔硅／硅结构中的输运过程，研究了各层中电场强度以及电压的分布，讨论了镜像势在正反向偏
压下对金属／多孔硅／硅结构■V特性的影响。结果表明：金属／多孔硅／硅结构中电流主要受表面
态电荷和界面层影响，改变多孔硅层厚度将导致各层中电压的重新分布，不管是正向偏压还是反向
偏压，电流随厚度的增加而减小；镜像势在正向偏压时对电流的影响可以忽略，但随反向偏压增大
镜像势对电流的影响越来越大。
关键词： 多孔硅；金属／多孔硅／硅结构；输运特性；镜像势
中图分类号：0482．3l
Characteristicsof Deviceswith Structure
Transport Light—emitting Metal／PorousSilicon／Silicon
ZHUO Huil，CUI
Jing—qin91，LIHong—jianl，XIAHao—yan92
of Scienceand South
(1．CollegePhysics Technology，CentralUniversity，Changsha410083，CHN；
InstituteforTechnical of 201805，CHN)
2．Shanghai Physics，ChineseAcademyScience，Shanghai
onthe ofmirror
Abstract：Basedinfluence OnJ-Vcharacteristic．thecarrier
imagepotential
andthe distributionin structureare
transportprocess voltagedrop silicon／silicon
metal／porous
anddiscussed．Theresultsindicatethatthe is
analyzed current influencedthe of
mainly by charge
surfacestateandtheinterfacialinthe structure，andthe
layer metal／poroussilicon／silicon
in redistributewiththethicknessof silicon thecurrent
voltageseverylayer porous layer，and
decreaseswiththethickness o
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