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第8章第2节课件
6. 线型CCD摄像器件的两种基本形式 ;(2) 双沟道线阵CCD;8.4.2 面阵CCD图像传感器 ;(2) 隔列转移型面阵CCD ;(3)线转移型面阵CCD ;8.5 CMOS图像传感器 ;8.5.1 CMOS成像器件的结构原理 ;堵伊倘燃侵伞懂臣易侈氓柠纶犹簿惨雕矾颂霄摇瘸蘑型晴胳吵斋音荧女腹第8章第2节课件第8章第2节课件;图像信号的输出过程可由（如图8-32所示）图像传感器阵列原理图更清楚地说明。 ;2. CMOS成像器件的像敏单元结构 ;主动式像敏单元结构的基本电路如图8-35所示。从图可以看出，场效应管V1构成光电二极管的负载，它的栅极接在复位信号线上，当复位脉冲出现时，V1导通，光电二极管被瞬时复位；而当复位脉冲消失后，V1截止，光电二极管开始积分光信号。 ;8.5.2 典型CMOS图像传感器 ;SXGA型CMOS成像器件像敏区的结构如图8-38所示 。;SXGA型CMOS成像器件的光谱特性如图8-39所示。 ;（2） 输出放大器 ;增益可调的放大器可按指数规律控制，如图8-42所示。控制增益的信号为4位编码信号，即可选择的增益有8种，增益在5.33~17.53之间可调。 ; 当需要慢速读出图像信号时，需要采用慢速调节偏压的方法。为防止偏压漂移，每行都要进行偏压调节。调节过程如图8-45所示，它与图8-44的主要区别在于调节过程的时间较长。 ;输出放大器的输出/输入特性曲线如图8-46所示。 ;（3）A/D转换器 ;8.6 热成像器件 ;2. 热释电摄像管的基本结构 ;3. 典型热像仪 ;（2）IR210高清晰度夜间红外监视探测仪
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