MOSFET及IGBT栅极专用驱动电路四.PDF

知识讲座 doi:10.3969/j.issn.1563-4795.2012.06.016 【编者按】 电力电子器件是半导体功率器件的总称， 是构成电力电子设备的基础， 是从事电力电子 器件设计、 研发、 生产、 营销和应用人员以及电源技术工作者应该熟悉的内容。 本刊从去年 月份 4 开始以 “ 电力电子器件知识” 为题开展讲座， 以满足广大读者增长知识和用好这些器件的需求。 欢迎厂家及用户的工程师们撰稿， 并望提出宝贵意见。 电力电子器件知识讲座 ( 十五) MOSFET IGBT (四) 及 栅极专用驱动电路 乔恩明 薛玉均 刘 敏 （供稿） 本刊编辑部 张乃国 改编 ( ) 上接第 期第 页 ( 5 60 ) 典型应用 在图 所示的电路中， 耦合电容与 、 和 (4) 17 1μF 11 12 ①在BUCK 变换器中的应用 13端应在同一点接地， 并与功率部分的接地点分开。 图 为用 的高端部分驱动 变换器 在双正激变换器中的应用 17 IR2110 BUCK ② 中的 。 对自举电容的初始充电是由 源通 图 所示为用 驱动双正激变换器电路。 MOSFET VCC 18 lR2110 过电感和滤波电容进行的， 为了确保对自举电容 在这种情况下， 由于续流二极管的导通时间变得非 的充电电压不超过 的限制， 这个 谐振 常短， 为了确保给自举电容 在开通时和后续周期 VSS (20V) LC C1 电路的 值应足够小， 如果 值不是足够小， 就应 内充足电荷， 电路中增加了三个元件 、 和 。 Q Q R1 VT3 VT4 在自举二极管支路串联一个电阻或在自举电容上 当 、 截止时， 也截止， 饱和导通， 将 VT1 VT2 VT4 VT3 并联一个齐纳二极管。 电容 对地一端对地接通， 使 与 能很快地充电到 C1 C1 C2 左右。 当 、 导通时， 也导通， 饱和 15V VT1 VT2 VT4 VT4 导通， 使 截止， 从而使电容 对地一端与 管