Si衬底GaN基蓝光LED老化性能-发光学报.PDF

第３１卷　第３期 发　光　学　报 Ｖｏｌ３１ Ｎｏ３ ２０１０年６月 ＣＨＩＮＥＳＥＪＯＵＲＮＡＬＯＦＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＣＥ Ｊｕｎ．，２０１０ 文章编号：１０００７０３２（２０１０）０３０３６４０５ Ｓｉ衬底 ＧａＮ基蓝光ＬＥＤ老化性能 １ １，２ １，２ １，２ 肖友鹏 ，莫春兰 ，邱　冲 ，江风益 （１．南昌大学 教育部发光材料与器件工程研究中心，江西 南昌　３３００４７； ２．晶能光电（江西）有限公司，江西 南昌　３３００２９） 摘要：报道了芯片尺寸为５００ ｍ×５００ ｍ硅衬底ＧａＮ基蓝光ＬＥＤ在常温下经１０００ｈ加速老化后的电学 μ μ 和发光性能，其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段；老化后的反向漏电流和正向小电压下的电流 均有明显的增加；老化后器件的外量子效率（ＥＱＥ）比老化前低；老化前后ＥＱＥ衰减幅度在不同的注入电流下 存在明显差异，衰减幅度最小处出现在发光效率最高时对应的电流密度区间。 关　键　词：硅衬底；ＧａＮ；蓝光ＬＥＤ；老化；光衰 中图分类号：Ｏ４８２．３１；ＴＮ３８３．１　　　ＰＡＣＳ：７８．６０．Ｆｉ　　　ＰＡＣＣ：７８６０Ｆ　　　文献标识码：Ａ 场可能会增强原子的扩散和造成电极的意外熔 １　引　　言 合，与此同时也有可能增加断层密度和点缺 近几年来，ＩｎＧａＮ／ＧａＮ发光二极管（ＬＥＤｓ）的 陷［９］。本实验室已经分别对Ｓｉ衬底 ＧａＮ基大功 研发与生产取得了飞速发展。文献中已经报道了 率蓝光ＬＥＤ和Ｓｉ衬底 ＧａＮ基绿光 ＬＥＤ进行９０ 蓝光ＬＥＤｓ的光功率达到６４３ｍＷ（４４０ｎｍ／３．２４ ｍＡ大电流 １２５℃高温老化，结果显示器件无光 Ｖ／３５０ｍＡ／ＷＰＥ：５７％），白光的光通量达到 １５５ 衰，电学性能非常稳定［１０，１１］。而对ＬＥＤ进行ＳｉＮ ［１］ ［１２］ ｌｍ（３５０ｍＡ／３．２４Ｖ／１３６ｌｍ／Ｗ／５０００Ｋ） 。这 膜钝化也会改善器件的可靠性 。本文在常温 表明，ＧａＮ基蓝光 ＬＥＤｓ已经具备了进入通用照 下对５００ ｍ×５００ ｍ的ＧａＮ基蓝光 ＬＥＤ芯片 μ μ 明所需的发光效率［２］。但是，目前产品市场中不 注入２００ｍＡ的电流持续老化 １０００ｈ，报道了加 同厂家生产的器件的可靠性良莠不齐，在一定程 速老化前后相关光电性能。 度上影响了用户的信心，对大面积推广使用不利， ２　实　　验 因而提高器件的可靠性成为目前研究的重点 之一。 ＧａＮ基蓝光ＬＥＤ芯片样品尺寸为５００ ｍ× μ ＬＥＤｓ的制作要依次经过外延生长、芯片制 ５００ ｍ，设计工作电流为６０ｍＡ。外延片是本实 μ ［３］ 作、器件封装等主要环节 ，每个环节都会对 验室ＴｈｏｍａｓＳｗａｎＭＯＣＶＤ外延系统上生长的，衬