埋栅型电力静电感应晶闸管的ⅰ-ⅴ特性反向转折机理 mechanism of reverse snapback on ⅰ-ⅴ characteristics of power siths with buried gate structure.pdfVIP

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  • 2017-08-12 发布于上海
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埋栅型电力静电感应晶闸管的ⅰ-ⅴ特性反向转折机理 mechanism of reverse snapback on ⅰ-ⅴ characteristics of power siths with buried gate structure.pdf

埋栅型电力静电感应晶闸管的ⅰ-ⅴ特性反向转折机理 mechanism of reverse snapback on ⅰ-ⅴ characteristics of power siths with buried gate structure

第29卷第3期 半 导 体 学 报 v01.29No.3 2008年3月 JOURNALoFSEMICONDUCTORS Mar.,2008 MechanismofReverse onJ-VCharacteristicsofPower Snapback SITHswithBuriedGateStructure Li WangY0ngshunl”,Li R0n91,and Hairon92,Wu Siyuan2 (1 Electronicand 730070,China) Collegeof InformationEngi

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