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仿真工具(ATLAS)课件
哈尔滨工程大学微电子实验室;ATLAS 电学特性;ATLAS 电学特性;ATLAS 电学特性;设置模型：
对于简单的MOS仿真，推荐使用CVT和SRH。
SRH是Shockley Read Hall复合模型，而CVT模型是来自于Lombardia的反型层模型。
CVT模型设置了通用的迁移率模型，包括了浓度、温度、平行电场和横向电场的影响。;ATLAS 电学特性;设置模型： contact
Workfunction Parameters
Boundary Conditions
Contact Parasitics
Electrode Linking Parameters;设置模型： interface
;数值计算方法命令集：
对于半导体器件问题，有几种不同的方法可以使用。对于MOS结构来说，可以使用非耦合的GUMMEL法和耦合的NEWTON法。简单地说，gummel法将对每个未知量轮流求解，同时保持其他变量不变，不断重复这个过程，直到得到稳定的解。而Newton法将会对整个系统的所有未知量一起求解。
输入： method newton;求解命令集：
;tonyplot
;tonyplot 对应的编辑菜单
;提取器件参数
;Ids vs.Vds
;Ids vs.Vds
;构造器件的步骤：
1. 构建网格
2. 定义区域
3. 定义电极
4. 掺杂分布
5. 保存结构文件
;1. 构建网格
;2. 定义区域
;3. 定义电极
;4. 掺杂分布
;ATLAS 器件仿真;ATLAS 器件仿真;ATLAS 器件仿真;ATLAS 器件仿真;ATLAS 器件仿真;ATLAS 器件仿真;ATLAS 器件仿真;ATLAS 3D 构建要点：
1.mesh中加入three.d命令
如：mesh three.d space.mult=0.7
2.mesh中加入mesh z.m
如：z.m loc=0.0 spacing=0.1
3.region中加入z.min和z.max
如： region num=1 material=Si y.min=0.2 z.min=0.0 z.max=2.2
4.elec中加入z.min和z.max
如：elec name=emitter x.min=0.0 x.max=0.5 y.min=0.0\ y.max=0.0 z.min=0.0 z.max=2.2;ATLAS 3D 器件构造;ATLAS 3D 器件构造;ATLAS 3D 器件构造;ATLAS 3D 器件构造;ATLAS 3D 器件仿真;ATLAS 3D 器件仿真
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