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2017-08-13 发布于上海
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纳米mos器件的设计模型 quantum modeling of nanoscale mos devices

第28卷第5期电气电子教学学报 V01．28No．5 2006年10月 0FEEE 0ct．2006 JOURNAL 纳米MoS器件的设计模型王伟 (南京邮电大学光电工程学院，江苏南京210003)o 摘要：几十年来，MOS器件一直遵循摩尔定律不断发展，对于缩小到纳米尺度的M0s器件，量子效应更加突出。研究纳米尺度MOS器件的物理问题，以及适用于纳米MOS器件的设计已成为当前微电子领域重要研究内容。本文简要介绍和评述了纳米MOS器件的设计模型，并对基于非平衡态格林函数以及薛定谔方程和泊松方程自洽解的器件模型应用进行了举例说明。关键词：纳米Mos；量子模型；格林函数中图分类号：TN40 文献标识码：A ofN肌oScaleMoSDeVices Q眦ntumModeling Ⅵ，ANGWei 210003，C^i九口) (CD池邸。厂∞幻一Pktro卯缸功gi删以挖g，№巧i竹g晚妇Hi￡yo，Pos如n以nzPcD，黼H竹ic口￡如”s，№巧i以g MOStransistorshavebeen toMoore’sLawoverthe Abstract：The decades． developingaccording past when effectsbecome thedevicesshrinktonanoscaledimensions．The However，quantumpronounced and ofnanoscaleMOSdevices a serious fordevice and design presents physicists physics chaHenge design inmicroelectronicsfield．Thisarticle a briefreviewof modelsofnanoscale engineers provides physical devicesand device basedonself—consistents01utionstoPoisson’s MOS gives modelingexamples equa— Green’sfunctionsandthe tion，non—equilibrium Schr?dingerequation． MOS；quantum function KeywI眦ls：nanoscale Modeling；green’s 小的限制性因素。对纳米MOS器件面临的一系列 0 引言理论设计问题，半导体器件的传统方程已不能准确随着微电子技术