抛光垫提高化学机械抛光接触压强分布均匀性研究 contact pressure distribution during chemical mechanical polishing with bionic cutting polishing pad.pdfVIP

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2017-08-13 发布于上海
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抛光垫提高化学机械抛光接触压强分布均匀性研究 contact pressure distribution during chemical mechanical polishing with bionic cutting polishing pad.pdf

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抛光垫提高化学机械抛光接触压强分布均匀性研究 contact pressure distribution during chemical mechanical polishing with bionic cutting polishing pad

工 No．5 第33卷第5期兵学报 V01．33 ACTA 201 2年5月 ARMAMENTARI! May2012 抛光垫提高化学机械抛光接触压强分布均匀性研究吕玉山1，张辽远1，王军1，王武刚2 (1．沈阳理工大学机械工程学院，辽宁沈阳110159；2．珠海格力电器股份有限公司，广东珠海519070) 摘要：为了改善单晶硅片化学机械抛光(CMP)接触压强分布的均匀性和实现高平坦化抛光，基于弹性力学的“Winkler地基”理论提出了一个新的CMP接触模型。依据此模型，从葵花籽粒分布的结构特征出发对抛光垫进行了分割，计算分析了分割参数对接触压强分布的影响规律，并实验验证了分割参数对硅片抛光平面度轮廓的影响规律。研究结果表明：当分割参数为顺时针0．008— 0．009 mm。逆时针为0．005—0．006mm时，抛光接触压强分布较为均匀，并使得被抛光晶片的平面度得到改善。关键词：机械制造工艺与设备；抛光；单晶硅片；接触压强；葵花籽粒分布；Winkler地基文献标志码：A 中图分类号：TN305．2；THl61 PressureDistributionChemicalMechanical Contact During Polishing withBionic Pad CuttingPolishing LU Yu．shan‘，ZHANGLiao—yuanl，WANGJul，WANGWu．gan92 ofMechanical (1．School Engineering，ShenyangLigongUniversity，Shenyang110159，Liaoning，China； 2．GreeElectric Inc．of AppliancesZhuhai．Zhuhai519070。Guangdong，China)’ to the ofthecontact distributionofchemicalmechanical Abstract：Inorderimproveuniformity pressure of theeffectsofchemicalmechanical newmodelcontactmecha- polishing(CMP)and planarization，a nismonCMPwasset basedOntheWinklerfoundationmodelofelastic alsoakindof up theory．and waginvented as ofsunflower methodoncuttingpolishingpad accordingphyllotacticpattern seed，and the distributionof