硼掺杂单壁碳纳米管检测sf6气体局部放电仿真 simulation on the b-doped single-walled carbon nanotubes detecting the partial discharge of sf6.pdfVIP

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2017-08-13 发布于上海
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硼掺杂单壁碳纳米管检测sf6气体局部放电仿真 simulation on the b-doped single-walled carbon nanotubes detecting the partial discharge of sf6.pdf

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硼掺杂单壁碳纳米管检测sf6气体局部放电仿真 simulation on the b-doped single-walled carbon nanotubes detecting the partial discharge of sf6

高电压技术第 37卷第 7期 2011年 7月 31日 HighVoltageEngineering，Vo1．37，No．7，July31，2011 1689 硼掺杂单壁碳纳米管检测 SF6气体局部放电仿真张晓星，孟凡生，任江波，唐炬，杨冰 (重庆大学输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室，重庆 400030； 2．重庆市电力公司綦南供电局，重庆 401420) 摘要：气体绝缘组合电器 (GIS)的局部放电检测和 SF。气体局放分解组分分析，对 GIS运行状态的诊断和评估有着重要的意义。为提高气体分解组分的检测灵敏度，在介绍了碳纳米管传感器检测 SFs局放分解气体的原理后，应用材料科学模拟计算软件 MS对硼掺杂单壁碳纳米管 (B—SWNT)性质进行研究并对其检测 SF。局部放电主要分解组分进行量子力学模拟。研究和模拟结果表明：掺杂硼原子可以改变碳纳米的电子结构，使其趋向与 P型半导体，能隙变小，导电性增强；B-SWNT与 SOF。发生化学吸附，B—SWNT电子结构变化明显，导电性进一步增强，电阻变化量大，灵敏度高，而对 SF。及 SF。其它分解气体组分吸附作用较弱，灵敏度不高。预测 B-SWNT可以用来检测 SF 局放分解混合气体中的SOFz气体，且灵敏度高于 SWNT。关键词：六氟化硫；分解气体组分；硼掺杂单壁碳纳米管；模拟；气体检测；局部放电 (PD) 中图分类号：TM835 文献标志码：A 文章编号：1003—6520(2011)07—1689—06 Simulation on theB—-dopedSingle。。walledCarbonNanotubes DetectingthePartialDischargeofSF6 ZhANG Xiao—xing ，MENG Fan—sheng ，REN Jiang～bo。，TANG Ju ，YANG Bing (1．StateKeyLaboratoryofPowerTransmissionEquipment System SecurityandNew Technology， ChongqingUniversity，Chongqing400030，China； 2．ChongqingPowerCompanyQiananPowerSupplyBureau，Chongqing401420，China) Abstract：Thedetectionofpartialdischarge(PD)inGasinsulatedswitchgear(GIS)andtheanalysisofthegasde— compositioncomponentsofSF6aresignificantfordiagnosingandassessingtheoperation stateofGIS．Weintro— ducedtheprinciplesofdetectingthegasdecompositioncomponentsofSF6usingcarbonnanobutessensors，andsim— ulatedthepropertiesofB-dopedsingle—walledcarbonnanobutes(B-SWNT)throughMaterialsStudio，asimulation softwareoftenusedinmaterialsciencefieldandthedetectionofgasdecompositioncomponentsofSF6．Thesimula— tionresultsshow thattheelectronicstructuresofcarbonnanobutesarechanged，tendingtoP—typesem iconduct