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屏蔽技术(二) shield techniques part 2

P气c——巴气℃—“!,冒e代电/蕾e气≈锅 gEMC设计技术B kk矗气心‘墙‘商‘—-寸。勺6卅 屏蔽技木仁) Shield Part2 Techniques Keith (上接2009年第5期90页) 差别。 4.3.6远场中孔缝的谐振/天线效应 即使我们使用点焊或螺钉连接等方式将两块金属平 屏蔽体上所有的孔缝都可以看作是“无意的缝隙天 板固定到一起,认为已经实现了良好的射频搭接,也不能 线”,能够穿过屏蔽体将电磁能量辐射出去,使产品的电 说明固定点之间具有非常低的搭接阻抗。固定点之间的 磁发射和电磁抗扰度性能指标恶化。孑L缝的最低谐振频 间隙也是一种孔缝,其最大尺寸g就是(或至少是)两个 率与其最大口径g(最大缝隙尺寸,可以是其直径或最长 相邻固定点的距离。在射频搭接效果不是非常理想或者 对角线)相关,g等于最低谐振频率所对应波长的一半。 在产品的整个寿命周期内可能会发生降级的区域,应考 如果频率低于该最低谐振频率,天线的效率会每隔一个 虑孔缝泄漏带来的影响。 倍频程降低20dB,所以,如果gA12,屏蔽体上孑L缝的屏 图4H可以让我们直观地认识孔缝泄漏的特性,图 蔽效能为20lg(A/29)dB。 4J可以用来指导实际的远场条件下的屏蔽体设计。从图 根据以上假设,我们可以得到图4H和图4J,这两幅 中我们可以看到,对于一个包含了一个孑L缝的屏蔽体,若 图很好地预估了屏蔽体在实际1二作环境中的屏蔽效能, 要在1GHz频率实现40dB的屏蔽效能,该孔缝的最大 至少可以作为一种EMC设计工具来使用。在图中的某些 尺寸不能超过1.5ITIm。图4J仅适用于单个孔缝,而大多 频段,屏蔽效能可能不一定非常准确,这就需要我们结合 数产品都具有多个孔缝,其屏蔽效能会更低。 产品的具体特点和工程经验对其进行适当修正。图4H 使用了图4B中的频谱和噪声分布特性,然后画出了屏 蔽体孔缝作为无意辐射天线的辐射效率曲线。 (比如对于双对角线,可将频率轴平分) l 图4J远场条件下单个孔缝的屏蔽效能特性 当EMC工程师想要实现较为理想的屏蔽效能时, 经常会使用到“A/100规则”,但其屏蔽效能仅能达到 GHz) 图4H屏蔽体孔缝作为无意辐射天线的辐射效率(近到2.5 34dB,且仅适用于单个孑L缝的情况。应用更为广泛的“A/10 在孑L缝的谐振频率上,孑L缝的宽窄并不会对孔缝的 规则”仅能确保屏蔽效能是正的,即对于波长大于A的 辐射特性产生太大的区别。即使孑L缝的宽度小于涂层或 频率也具有一定的屏蔽效能。 氧化薄膜(常用于金属薄片的连接)的厚度,或者孑L缝的 实际的屏蔽体上总是会有许多连接点、缝、控制 结构像迷宫一样复杂,其在谐振频率上的电磁辐射效率 面板、显示器、通风孑L、移动存储介质的开孔等,如屏 与类似的孔缝(其宽度可能会穿过一根手指)没有什么 蔽设计不当,这些结构都可能成为无意的发射天线。 万方数据 即使对于只有一个孔缝的屏蔽体,想要

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