双极场引晶体管i.电化电流理论(双mos栅纯基) the bipolar field-effect transistor i. electrochemical current theory(two-mos-gates on pure-base).pdfVIP

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2017-08-14 发布于上海
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双极场引晶体管i.电化电流理论(双mos栅纯基) the bipolar field-effect transistor i. electrochemical current theory(two-mos-gates on pure-base).pdf

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双极场引晶体管i.电化电流理论(双mos栅纯基) the bipolar field-effect transistor i. electrochemical current theory(two-mos-gates on pure-base)

第28卷第11期半导体学报 v01．28No．11 2007年11月 CHINESEJOURNALoFSEMICoNDUCToRS N6v．．2007 The Field--EffectTransistor· Bipolar Current I．Electrochemical Theory (Two-MOS-Gateson Pure-Base)。 Sahl’2，3”andBinB．Jid’ Chih-Tang (1Chinese AcademyofSciences，ForeignMemkr，Beijing100864，China) (2 32605，USA) UniversityofFlorida，Gainesville，Florida (3PekingUniversity，Beijing100871，China) Abstract：Thisdescribesthe field—effect its transistor(BiFET)andsolutionisob． paper bipolar theory．Analytical tainedfrom thetwo-dimensionaltransistorintotwo one-dimensionaltransistors．The partitioning analysisemploys the the parametric and forceto surface-electric—potential driving the andtransfer compute D．C．currentandconductanceversus are over current．Output voltagepresentedpracti． cal ofterminal and device andholesurfacechannelcurrentsare ranges D．C．voltages parameters．Electron pres． ent newfeaturewhich COUld circuitfunctionsinone transistorsuchastheCMOS simultaneously，a provide