电源网格的电压下降和电迁移效应分析.PDF

电源网格的电压下降和电迁移效应分析 集成电路电源分配系统的用途是提供晶体管执行芯片逻辑功能所需的电压与电流。在 0.13 微米以下制程技术时，IC 设计师不 能再想当然地认为 VDD 和 VSS 网络设计是正确的，必须进行详尽的分析才能确认他们 的电源分配方法是否真的具有强韧性。VDD 网络上的电压下降(IR)和 VSS 网络上的地线 反弹会影响设计整个时序和功能，如果忽视它们的存在，很可能导致芯片设计失败。电 源网格中的大电流也会引起电迁移(EMI)效应，在芯片的正常寿命时间内会引起电源网格 的金属线性能劣化。这些不良效应最终将造成代价不斐的现场故障和严重的产品可靠性 问题。 电源网格的IR 压降和地线反弹 引起 VDD 网络上IR 压降的原因是，晶体管或门的工作电流从 VDD I/O 接脚流出后要经 过电源网格的 RC 网络，因而使到达组件的VDD 电压有所下降。地线反弹现象与此类似， 电流流回VSS 接脚时也要经过 RC 网络，因而导致到达组件的VSS 电压有所上升。更加 精细的设计制程和下一代设计技术使新的设计在 IR 压降或地线反弹方面要承受更大的风险。电源网格上的 IR 压降主要影响 时序，它会降低门的驱动能力，增加整个路径的时延。一般情况下，供电电压下降 5%会使时延增加 15%以上。时脉缓冲器的 时延会由于IR 压降增加 1 倍以上。当时脉偏移范围在 100ps 内时，这样的时延增幅将是非常危险的。可以想象一下集中配置 的关键路径上产生这种未期而至的延迟会出现什幺样的情景，显然，设计性能或功能将变得不可预测。理想情况下，要想提 高设计精密度，其时序运算必须考虑最坏情况下的 IR 压降。 电源网格分析方法主要有静态和动态两种方法。 静态电源网格分析 静态电源网格分析法无需额外的电路仿真即能提供全面的覆盖。大多数静态分析法都基于以下一些基本概念： 1．撷取电源网格的寄生电阻； 2 ．设立电源网格的电阻矩阵； 3 ．运算与电源网格相连的每个电阻或门的平均电流； 4 ．根据晶体管或门的实体位置，将平均电流分配到电阻矩阵中； 5 ．在每个VDD I/O 接脚上将 VDD 源应用到矩阵； 6 ．利用静态矩阵解决方案运算流经电阻矩阵的电流和IR 压降； 由于静态分析法假设VDD 和 VSS 之间的去耦电容器足够滤除 IR 压降或地线反弹的动态峰值，因此其结果非常接近电源网格 上动态转换的效果。 静态分析法的主要价值体现在简单和全面覆盖。由于只需要电源网格的寄生电阻，因此撷取的工作量非常小。而且每个晶体 管或门都提供对电源网格的平均负载，因此该方法能够全面覆盖电源网格，但它的主要挑战在于精密度。静态分析法没有考 虑本地动态效应和封装传导效应(Ldi/dt)，如果电源网格上没有足够的去耦电容器，那幺这二者都会导致进一步的IR 压降和地 线反弹。 动态电源网格分析 动态电源网格分析法不仅要求撷取电源网格的寄生电阻，还要求撷取寄生电容器，并要完成电阻 RC 矩阵的动态电路仿真。 动态电源网格分析法的典型步骤是： 1．撷取电源网格的寄生电阻和电容器； 2 ．撷取讯号网络的寄生电阻和电容器； 3 ．撷取设计网表； 4 ．根据撷取的寄生电阻、电容器值和网表产生电路网表； 5 ．依据仿真向量集执行电路仿真，主要仿真晶体管或门的动态转换以及该转换对电源网格的影响。 动态分析法的主要价值体现在它的精密度。由于分析的依据是电路仿真，IR 压降和地线反弹结果将是非常精确的，并考虑了 本地动态效应和封装传导效应。 1 但动态分析法面临的挑战也是十分艰巨的，原因在于： 1. 寄生撷取要求非