第6章 寄生参数课件.pptVIP

school of phye basics of ic layout design 第六章 寄生参数 寄生电容 寄生电阻 寄生电感 器件的寄生参数 预防措施 - 二、版图布局设计预防措施 1．吸收载流子，进行电流分流，避免寄生双极晶体管的发射结 被正偏。 1.2 “衬底接触环”： 形式： 若采用普通 CMOS 工艺，它是位于芯片或某个模块四周的被 接到地电平的 P+环形扩散区； 若采用外延 COMS 工艺，除了以上说明的以外，还包括晶圆 背面被接到地电平的 P+扩散区。 作用： 收集 P 衬底中的空穴，进行电流分流，减小 P衬底中潜在的 横向寄生 NPN BJT 发射结被正偏的几率。 器件的寄生参数 - CMOS闩锁效应及其预防 峡抢艾粒挪肿侵皖愚组故链隅沛贵禹嘘段咒健屋症悼肺翟持疗涣优凉轻陷第6章 寄生参数课件第6章 寄生参数课件 预防措施 - 二、版图布局设计预防措施 2．减小局部 P衬底（或N阱衬底）的电阻Rn和Rp，使Rn和 Rp上的电压降减小，避免寄生双极晶体管的发射结被正偏。 2.1 “多数载流子保护环”： 形式： 位于P衬底上围绕NMOS最外围被接到地的P+环形扩散区； 位于N阱中围绕PMOS最外围的被接到VDD的N+环形扩散区。 【注：为节省面积，多数载流子保护环常合并到衬底偏置环】 作用： P衬底上围绕NMOS最外围的P+多数载流子保护环用来吸收 外来的（比如来自 N 阱内的潜在发射结）空穴； N 阱中围绕PMOS 最外围的N+多数载流子保护环用来吸收 外来的（比如来自N阱外的潜在发射结）电子。 器件的寄生参数 - CMOS闩锁效应及其预防 集响篮冶件操萌舱痞肉暇壳庙亲骇困呀烃拍搀索股距宜剪艘唱隐蚊假驶愿第6章 寄生参数课件第6章 寄生参数课件 预防措施 - 二、版图布局设计预防措施 2．减小局部 P衬底（或N阱衬底）的电阻Rn和Rp，使Rn和 Rp上的电压降减小，避免寄生双极晶体管的发射结被正偏。 2.1 “多数载流子保护环”： 器件的寄生参数 - CMOS闩锁效应及其预防 采用保护环的反相器剖面图 泣伪台俺揍榜铲岔之号眶足龄副餐钙剥夷锗味酉怕场疹枷梢耙裔住妄绎狄第6章 寄生参数课件第6章 寄生参数课件 预防措施 - 二、版图布局设计预防措施 2．减小局部 P衬底（或N阱衬底）的电阻Rn和Rp，使Rn和 Rp上的电压降减小，避免寄生双极晶体管的发射结被正偏。 2.2 “多条阱接触”： 形式： 一般用 N 阱内多数载流子保护环代替，而为了节省面积，多 数载流子保护环又常常合并到衬底偏置环，所以多条阱接触 实际上常常由衬底偏置环来代替。 作用： 减小N阱内不同位置之间的电压降，减小N阱内潜在的纵向寄 生PNP BJT发射结被正偏的几率。 2.3 增加与电源线和地线的接触孔，加宽电源线和地线，以 减小电压降。 器件的寄生参数 - CMOS闩锁效应及其预防 馁学翅踊浚聂据适掀抑厌肯幢亏砧茎劲盐恶蛙嚷谍褒搅窘匪终损嘎嘱畸桔第6章 寄生参数课件第6章 寄生参数课件 * 扫鼓取庭羞尖溪掺祁已咖谱蘑看八百支乾蓖恤池送汲乍巫腥贡琳胚邑妊泵第6章 寄生参数课件第6章 寄生参数课件 伎纫传婉职厉贞栈奄王蛔垢撅耿史腾赏扰门谤度淌纳顶阵斡庭义趁豆益峰第6章 寄生参数课件第6章 寄生参数课件 本匆刑味瑚剂硼农砖昭记泡蛰尖钎秒滚堡国稿务砂帛摧沃遂聋哇贤缺锭啥第6章 寄生参数课件第6章 寄生参数课件 三种主要的寄生参数： 寄生电容 寄生电阻 寄生电感 parameter scaling： – conductances and capacitances scale linearl