衬底温度对Al2O30001表面外延6H-SiC薄膜的影响-IngentaConnect.PDF

· 306 · 硅 酸 盐 学 报 2011 年 第39 卷第2 期 硅 酸 盐 学 报 Vol. 39 ，No. 2 2 0 1 1 年 2 月 JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY February ，2011 衬底温度对Al O (0001)表面外延6H-SiC 薄膜的影响 2 3 1,2 2 2 2 刘忠良 ，康朝阳 ，唐 军 ，徐彭寿 (1. 淮北师范大学物理与电子信息学院，安徽 淮北 235000 ；2. 中国科学技术大学，国家同步辐射实验室，合肥 230029) 摘 要：采用固源分子束外延技术，以α-Al O (0001)为衬底，在不同衬底温度下制备了6H-SiC 薄膜。利用反射式高能电子衍射、原子力显微镜、X 2 3 射线衍射对生长样品的结构和结晶质量进行了表征。结果表明：在衬底温度为 1 100 ℃时生长的薄膜质量较好，在较低温度(1 000 ℃)和较高温度(1 200 ℃)条件下生长的薄膜质量较差。同时发现，衬底温度为1 000 ℃时生长的薄膜面内存在拉应变，随着衬底温度的升高，应变转变为压应变。在衬底温 度为1 100 ℃生长的薄膜受到的应变较小。这可能是薄膜与衬底的晶格失配和热膨胀系数差异共同作用的结果。 关键词：碳化硅薄膜；蓝宝石衬底；固源分子束外延 中图分类号：O484 ；TN304 文献标志码：A 文章编号：0454–5648(2011)02–0306–06 Effect of Substrate Temperature on the Growth of 6H-SiC Thin Films on Al O (0001) Surface 2 3 1,2 2 2 2 LIU Zhongliang ，KANG Chaoyang ，TANG Jun ，XU Pengshou (1. School of Physics and Electronic Information, Huaibei Normal University, Huaibei 235000, Anhui; 2. National Synchrotron Radiation Laboratory, University of Science and Technology of China, Hefei 230029, China) Abstract: 6H-SiC thin films were prepared on α-Al2O3 (0001) substrate at different substrate temperatures by solid-source molecular beam epitaxy. The microstructure and crystalline quality of the SiC thin films were characterized by reflection high energy electron diffraction, X-ray diffraction