讨论到eMMC的发展历程必须要从介绍Flash的历史开始Flash分为两.DOC

讨论到eMMC的发展历程，必须要从介绍Flash的历史开始Flash分为两种规格：NOR?Flash和NAND?Flash，两者均为非易失性闪存模块。?1988年，Intel首次发出NOR?flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。NOR类似于DRAM,?以存储程序代码为主，可以让微处理器直接读取。因为读取速度较快，但晶片容量较低，所以多应用在通讯产品中，如手机。?1989年，东芝公司发表NAND?flash结构，强调降低每比特的成本,更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。因为NAND?flash的晶片容量相对于NOR大，更像硬盘，写入与清除资料的速度远快于NOR，所以当时多应用在小型机以储存资料为主。目前已广泛应用在各种存储设备上,?可存储代码和资料。NAND?Flash的存储单元发展:从?SLC,?MLC到TLC，超越摩尔定律SLC=Single-Level?Cell,?即1bit/cell，读写速度快，寿命长，价格是MLC三倍以上，约10万次读写寿命。MLC=Multi-Level?Cell,?即2bit/cell?,速度一般，寿命一般，价格一般，月3000-10000次读写寿命。TLC=Triple-Level?Cell,?即3bit/cell，速度慢，寿命短，价格便宜，约500次读写寿命，技术在逐渐成长中。摩尔定律是由英特尔（Intel）创始人之一戈登·摩尔（Gordon?Moore）提出来的。其内容为：当价格不变时，集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。换言之，每一美元所能买到的电脑性能，将每隔18个月翻两倍以上。而NAND?Flash行业的摩尔定律周期则只有12个月。NAND?Flash的存储单元从最初的SLC（?Single?Layer?Cell）,?到2003年开始兴起MLC?(Multi-Layer?Cell),?发展至今，SLC已经淡出主流市场，主流存储单元正在从MLC向TLC（Triple?Layer?Cell）迈进。纳米制程工艺和存储单元的发展，使得同样大小的芯片有更高密度和更多的存储单元，Flash得以在容量迅速增加的同时，还大幅降低了单位存储容量的成本。但其弊端也轻易显现，从原来的1bit/cell发展到后来3bit/cell,?计算更为复杂，出错率不免更高，读写次数和寿命也会更短。在这种情况下现有MLC?和?TLC?Flash?都需要搭配一颗高性能的控制芯片来提供EDC和ECC、平均擦写等Flash管理。随着近年平板电脑和智能手机等在全球热潮来袭，嵌入式存储eMMC即营运而生iphone，iPAD带动了智能手机和平板电脑行业的迅猛发展，引发了电子产品更新换代，对存储硬件提出了更高的要求。多媒体播放、高清摄像，GPS，各色各样的应用以及外观轻薄小巧的发展趋势，要求存储硬件拥有高容量、高稳定性和高读写速度的同时，需要存储芯片在主板中占有更小的空间。然而NAND?Flash?随着纳米制程和存储技术的主流趋势发展，性能却在不断下降。可擦写寿命短，出错概率高，读写速度慢，稳定性差。嵌入式存储芯片eMMC就可以弥补这个市场需求和NAND?Flash发展的缺口。eMMC?(?Embedded?Multi?Media?Card)?采用统一的MMC标准接口，?把高密度NAND?Flash以及MMC?Controller封装在一颗BGA芯片中。针对Flash的特性，产品内部已经包含了Flash管理技术，包括错误探测和纠正，flash平均擦写，坏块管理，掉电保护等技术。用户无需担心产品内部flash晶圆制程和工艺的变化。同时eMMC单颗芯片为主板内部节省更多的空间。之前市场上流通的eMMC产品均出自国外的厂商闪迪、三星、东芝。而大陆厂商泰胜微科技今年第一个在国内推出了自有品牌BIWIN的eMMC产品，完全自主研发和封装测试，并将其产品命名为qNAND，已于年中推向了市场。泰胜微科技专注于嵌入式存储产品的研发和生产。拥有11年Flash的行业经验，是华南地区唯一一家拥有12寸晶圆封装测试工厂的民营企业。根据最新的测试结果，BIWIN的品牌eMMC——qNAND在一些关键性能指标上大幅优于同类产品。作为后来者，泰胜微的表现很值得期待。BIWIN品牌eMMC—qNAND??正面图BIWIN品牌eMMC—qNAND背面图eMMC的未来?eMMC规格的标准逐渐从eMMC4.3世代发展到eMMC4.4世代，eMMC4.5即将问世。就目前JEDEC的规划方向来看，eMMC下一个世代将会由UFS(Universal?Flash?Storage)规格接棒。我们将UFS视为一种衔接eMMC?4.5版后的N