重201083：基于MEMS技术的物联网节点能量采集及自维持芯片关键.DOC

附件： 第四批技术攻关项目课题 重2014-082：RFID芯片与系统应用关键技术研发 2014-083：MEMS技术的物联网节点能量采集及自维持芯片关键技术研发 2014-084： 重2014-085： 重2014-086：全TDC）芯片关键技术研发2014-087：2014-088：2014-089：IDS网络通信深度检测系统关键技术研发2014-090：SDN技术的高速以太网交换机关键技术研发 重2014-082：可配置多模无源RFID芯片与系统应用关键技术研发 一、领域：微电子技术 二、主要研究内容 （一）研究带温度传感功能的无源电子标签芯片设计方案，实现温度传感与电子标签芯片的一体化整合，完成一款有应用前景的无源温度传感电子标签芯片的设计定型。 （二）开发1-2款带SPI串口功能的电子标签芯片，实现电子标签芯片的有线接口功能，为物联网底层信息采集与信息交互提供支撑。 （三）开发一款存储器分区可重配功能的电子标签芯片，以便满足多种应用对各存储区大小的需求。 （四）开发具有自动预序列化及并行写功能的电子标签芯片，以满足大规模应用中快速海量标签数据注入的要求。 （五）研究与探索无源电子标签高速写技术，开发一款适合特定应用高速写要求的电子标签芯片。 （六）深入研究RFID芯片快速测试技术，考虑低成本与海量测试因素、适合有线测试、快速存储器测试等关键技术，研制系列化芯片晶圆测试与封装测试的测试机，完善芯片测试平台，提高芯片测试效率，降低芯片测试成本30%以上。 三、考核指标 （一）技术指标 1.芯片工作频段：UHF频段（840～960HMz），HF频段(13.56MHz)，LF频段(133kHz)； 2.芯片激活灵敏度：-17dBm～-20dBm；(针对UHF频段) 3.通讯数据率达到640kbps；(针对UHF频段) 4.存储容量512～2K bits； 5.工作距离5～20m；(针对UHF频段) 6.适应温度：-45℃～+125℃；(针对UHF频段) 7.芯片加密：内存分区加密；(针对UHF频段) 8.根据芯片约定协议要求，支持多标签识别 (针对UHF频段) ； 9.自建标签芯片测试生产线。 （二）学术指标 申请专利5项以上，形成专有技术2项以上，核心期刊发表论文2篇以上 （三）经济指标 1.项目完成时实现年产电子标签芯片1亿颗的产业化能力。 2.完成至少两项的芯片产业化应用。 3.项目成功实施后，年销售额达到6000万元以上。 四、项目实施期限：二年 五、资助金额：不超过400万元 重2014-083：基于MEMS技术的物联网节点能量采集及自维持芯片关键技术研发 一、领域：微电子技术。 二、主要研究内容 （一）体系架构研究，该架构需要支持物联网信息采集、无线传输及MEMS能量收集等； （二）能量收集及自维持共性技术研究； （三）环境中低频和非周期性杂散振动的高效采集方法研究； （四）MEMS能量采集器与振动传感器一体化设计方法研究； （五）能量采集器的微制作工艺流程研究； （六）基于MEMS技术的物联网节点能量采集及自维持芯片设计； （七）能量存储及输出控制电路设计； 三、考核指标 （一）技术指标 1. 控制电路采用0.35um及以下工艺，能量采集及自维持芯片采用MEMS工艺； 2. 芯片内置能量采集器MEMS模块； 3. 芯片内置集成振动传感器MEMS模块； 4. 工作电压：1.2V～2.4V； 5. 纹波比≤10%，采集振动频率：≥200Hz； 6. 最小输出功率：≥50uw； 7. 形成一套无线能量收集和自维持芯片的技术方案； （二）学术指标 申请发明专利5项以上。 （三）经济指标 项目执行期内，相关芯片出货量超过50万颗。 四、项目实施期限：二年。 五、资助金额：不超过400万元。 重2014-084：硅基氮化镓功率器件关键技术开发 一、领域：微电子技术。 二、主要研究内容 （一）与硅芯片生产兼容的氮化镓工艺线开发，最小线宽0.8um； （二）600V氮化镓晶体管器件开发，解决器件设计，工艺关键技术及设备匹配等技术难题； （三）600V氮化镓肖特基器件开发，解决器件设计，工艺关键技术及设备匹配等技术难题； （四）氮化镓器件封装技术研究； （五）氮化镓器件漏电及电场控制技术。 三、考核指标 （一）技术指标 1. 氮化镓晶体管击穿电压: ≥600V 2．氮化镓晶体管栅极工作电压范围：-30V～+30V 3. 氮化镓晶体管工作电流: ≥10A 4. 氮化镓晶体管导通电阻：≤200mohm 5. 氮化镓晶体管栅与漏极漏电流：≤10uA 6. 氮化镓晶体管开关性能：Tdon≤10ns，Tr≤15ns，Tdoff≤30ns，Tf≤20ns 7. 氮化镓肖特基器件击穿电压: ≥600V 8．氮化镓肖特基器件正向Vf：≤1