集成电路器件微波损伤效应试验研究Ξ-强激光与粒子束.PDF

　第 15 卷 　第 6 期 　　　　　　　　　　　　强激光与粒子束 Vol. 15 ,No. 6 　 　2003 年 6 月 　　　　　HIGH POWER LASER AND PARTICL E BEAMS J un. ,2003 　 文章编号 : (2003) 集成电路器件微波损伤效应实验研究 方进勇 , 　申菊爱 , 　杨志强 , 　乔登江 ( 西北核技术研究所, 陕西 西安 710024) 　　摘 　要 : 　主要介绍了微波脉冲参数变化对集成电路器件微波易损性的影响 。实验表明:集成电路器件损 伤功率阈值随着微波频率的增加而增大 ,随着脉冲重复频率的增加而减小。随脉冲宽度的变化较为复杂 ,总体 ( ) 是随着脉冲宽度的增加损伤功率阈值逐渐降低 ,但存在一拐点区域 约 100ns ,在此区域后 ,脉冲宽度增加但器 件损伤功率阈值变化不甚明显。器件损伤功率阈值基本呈正态分布 ,且方差较小 , 因此 ,器件的损伤概率近似 于 0～1 分布。 　　关键词 : 　集成电路 ; 　微波损伤效应 ; 　高功率微波 　　中图分类号 : 　TN015 　　　　文献标识码 : 　A ( ) 　　电子器件微波易损性研究是高功率微波 HPM 效应研究的重要组成部分 ,是电子器件抗 HPM 加固的重 要依据。电子器件是组成电子系统的基础单元 ,因此 , 电子器件的 HPM 效应参数也对电子系统抗 HPM 加固 具有重要的参考价值。电子器件的微波易损性研究已进行多年 ,并有许多结果陆续报导[1～5 ] ,本文介绍我们 ( ) 近年来获取的一些较为系统的集成电路器件 74L S 系列 ,74F 系列 ,74HC 系列 ,CMOS 系列 微波损伤效应实 验结果 ,并对部分实验规律进行了初步分析 ,得到了一些规律性的认识。 1 　实验方法简介 　　实验采用注入法 ,如图 1 所示。HPM 脉冲经定向 耦合器、可变衰减器、微波电缆直接注入到集成电路的 某一管脚。对于确定的器件、确定的注入管脚 ,可以使 用网络分析仪预先标定效应实验座微波脉冲注入端对 γ 于各个频率的功率反射系数 ,则器件的吸收功率 PD ≈Pin ( 1 - γ) ,其中 Pin 为注入微波功率。采用器件在 损伤时实际吸收的微波脉冲功率作为器件的损伤功率 Fig. 1 　Schematic of IC HPM effect experiment setup ( ) 图 1 　集成电路 HPM 效应实验框图 阈值 PDT ,则 PDT与实验的注入条件无关。 2 　微波频率对集成电路器件损伤阈值的影响