高平均功率面阵二极管激光器散热分析Ξ-强激光与粒子束.PDF

　第13卷　第5期 强 激 光 与 粒 子 束 . 13, . 5　 V ol N o 　2001年9月 H IGH POW ER LA SER AND PA R T ICL E BEAM S Sep. , 2001　 文章编号: (2001) 高平均功率面阵二极管激光器散热分析 武德勇, 　严地勇, 　唐　淳, 　高松信 ( 中国工程物理研究院 应用电子学研究所, 四川 绵阳 621900) 　　摘　要: 　采用三维有限元法分析了面阵二极管激光器背冷式封装结构的散热效率, 对次热沉厚 度, 冷却器结构参数进行了优化设计, 计算结果表明, 优化设计后的封装结构, 可满足面功率密度为 500 2 , 占空比为20% 的高平均功率面阵二极管激光器的散热要求。 W cm 　　关键词: 　二极管激光器; 　冷却器; 　热沉 　　中图分类号: 　 248　　　　文献标识码: 　 TN A 　　由于高功率二极管激光器( ) 的工作特性如发射波长、域值电流、效率、寿命等与其工作时的激活 DL 区温度关系很大, 因此, 解决其散热冷却问题是封装的关键技术之一[ 1～ 3 ] 。对低功率或低占空比的DL , 可采用热电制冷或传导冷却等方式进行散热, 而对高平均功率的DL , 则需要采用高效液体冷却器进行 冷却。当前国外采用的高效液体冷却器主要有冲击式冷却器、硅微通道冷却器、铜微通道冷却器等[ 4～ 6 ] , 这类冷却器的热阻率可低于0. 04 ℃ 2 , 但其制作需采用光化学腐蚀、静电高压粘合、高温扩散焊接 cm W 等工艺, 制造难度大, 成本高。本文设计了一种成本低廉, 可用常规线切割加工工艺进行加工的冷却器, 采用三维有限元法对背冷式高功率面阵DL 的散热过程和冷却器的冷却效率进行了计算, 根据计算结 果得出了适当的次热沉厚度和冷却器结构参数。计算结果表明, 本文设计的冷却器和封装结构, 可满足 面功率密度为500 2 , 占空比为20% 的高平均功率面阵 的散热要求。 W cm DL 1　封装结构模型 　　面阵DL 的结构形式主要有三种: 模块式结构、背冷式堆叠结构和一体化结构。本文采用的封装方 式是背冷式堆叠结构, 即先把一个线阵DL 芯片安装在一个小的次热沉上, 形成一个次封装, 然后把多 ( ) 个次封装共同焊到一个高效冷却器上, 形成一个面阵DL 如图1 。由于DL 的发射波长会随结温漂移, 通常温度相差1℃其波长要漂移约0. 3nm , 因此面阵DL 的组装要求各个芯片的工作温度尽量一致。特 别是在用做D PL 的泵浦源时, 如面阵DL 的温度不均匀, 将加大DL 的发射谱宽, 从而导致泵浦效率变 [ 7 ] 低 。因此, 冷却器的设计, 不仅要求冷却效率高, 还要求其表面温度均匀。如采用简单的长冷却水通道 . 1