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单端反激拓扑的基本电路
单端反激拓扑的基本电路
(b)为Q1电流,(c)为次级整流二极管电流,(d)为Q1的Vce电压
工作原理如下:当Q1导通时,所有的次级侧整流二极管都反向截止,输出电容(Co、C1)给负载供电。T1相当于一个纯电感,流过Np的电流线性上升,达到峰值Ip。当Q1关断时,所有绕组电压反向,次级侧整流二极管导通,同时初级侧线圈储存的能量传递到次级,提供负载电流,同时给输出电容充电。若次级侧电流在下一周期Q1导通前下降到零,则电路工作于断续模式(DCM),波形如上图(b)(c)(d),反之则处于连续模式(CCM)
电流模式控制芯片UC2844/3844内部框图如下
工作时序图如下
开关电源启动时输出时序不正确的案例:
电动汽车驱动板有两路开关电源,如下图
开关电源1的UC2844启动电路,其输出包含VDD5
开关电源2的UC2844启动电路,其输出包含+5V电路
尽管两路开关电源的启动电路中电容都是200uF,充电电阻是30kΩ,但由于开关电源2中D26的存在,使得开关电源2充电快,先开始工作,导致光耦U24的副边电源+5V比原边电源先建立。
当光耦U24的副边电源比原边电源先建立时,光耦会输出负压(V out+相对于V out-的电压),如下图。
CH1:VDD5电压 CH2:+5V电压 CH3:U31 pin6 CH4:U31 Pin7
光耦的负压会让运放U20输出一段600mV的负压,如下图
U20 Pin1电压
这段负压输入到控制板的比较器U5反向输入端,此时GENERATRIX信号的电压为-470mV,这个电压已经超过了比较器允许的最大负压(器件资料规定输入负压不得大于0.3V),在环境温度超过73℃时,-470mV的电压会导致比较器U5输出异常。
SIZE-D旧版开关电源UC2844电路
1、电路正常工作时
(1)启动初始
开始的一段时间Pin1电压维持在7.2V,原因:(1)+15电压较低,反馈电路的光耦U17初级侧的二极管两端电压未达到导通门限,因而U17次级侧阻抗无穷大(开路)(2)2844的Pin2(内部误差放大器“-”端)接地,因此误差放大器输出为高电平,电压由芯片内部决定
注:UC284X/UC384X芯片资料中误差放大器输出高电平的典型值为6.2V,测量其他产品开关电源启动时Pin1电压也都在6V左右,唯有这个电路Pin1电压偏高,但器件资料并没有给出高电平的最大值
CH1:UC2844 Pin1 CH2:UC2844 Pin3 CH3:MOS驱动 CH4:+15V
这段时间Pin1电压为7.2V
当Pin1电压为7.2V时,Pin3电压达到1V则电流取样比较器输出翻转为高,驱动关闭。从2844内部框图可以看出当Pin1电压大于4.4V时(2个二极管压降为0.7V*2),电流取样比较器“-”端电压会被稳压二极管钳位到1V。当Pin1电压小于4.4V时,电流取样比较器“-”端电压=(Vcom -1.4)/3。
CH1:UC2844 Pin1 CH2:UC2844 Pin3 CH3:MOS驱动 CH4:+15V
CH1:电流检测电阻上的电压 CH2:UC2844 Pin3 CH3:MOS驱动
启动时第一个驱动脉冲,电流检测电阻上的电压从0开始上升,驱动持续时间比较长(10uS左右)
启动时的第二个脉冲
观察第二个驱动脉冲波形,电流检测电阻上的电压不是从0开始上升,也就是说开关管的电流不是从0开始,所以此时电路工作在CCM(电流连续模式),这是因为启动时负载电流比较大(给各电路的储能电容充电)。从下图的电路中可以看到,开关管Q2的电流检测电阻后端接了一个RC滤波,然后才接到UC2844的Pin3,由于经过了滤波,Pin3电压是从0V开始逐渐上升的,并不像电流检测电阻上的电压那样陡峭
开关管电流检测增加RC滤波的原 b因:
(1)变压器初级侧线圈匝与匝之间有分布电容,当MOSFET每次开通时,输入电压会给此电容充电,充电电流会流过开通的MOSFET,导致MOSFET电流上有尖峰,此尖峰会体现在电流检测电阻的电压上,并可能超过UC2844电流取样比较器的门限导致MOSFET误关断,因此需要将此尖峰滤除。输入电压越大,匝间电容充电电流尖峰越大,如下图所示(MOSFET电流采样电阻上的波形,SIZE-D驱动板)
120V输入电压,最大尖峰411mV 300V输入电压,最大尖峰730mV
(2)在CCM(电流连续模式)状态下,初级侧MOSFET开通时,次级侧整流二极管反向恢复,反向恢复电流经过变压器反射到初级侧,在MOSFET电流上形成一个尖峰,如下图所示(电动汽车24V输入驱动板),此尖峰会超过UC2
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