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第七章晶闸管和场效应管课件
7.1 晶闸管
7.2 场效应管;7.1 晶闸管 ;7.1 晶闸管 ;7.1 晶闸管 ;7.1 晶闸管 ;7.1 晶闸管 ;7.1 晶闸管 ;7.1 晶闸管 ;7.1 晶闸管 ;7.1 晶闸管 ;7.1 晶闸管 ;7.1 晶闸管 ;7.1 晶闸管 ;
结构:
与普通晶闸管的相同点: PNPN四层半导体结构,外部引出阳极、阴极和门极。
和普通晶闸管的不同点:GTO是一种多元的功率集成器件,内部包含数十个甚至数百个共阳极的小GTO元,这些GTO元的阴极和门极则在器件内部并联在一起。;工作原理:
与普通晶闸管一样,可以用下图所示的双晶体管模型来分析。 ;(1)设计?2较大,使晶体管VT2控制灵敏,易于GTO关断。
(2)导通时?1+?2更接近1(?1.05,普通晶闸管?1+?2?1.15),导通时饱和不深,接近临界饱和,有利门极控制关断,但导通时管压降增大。 ;GTO的驱动电路;GTO的驱动电路;GTO的驱动电路;GTO的驱动电路;GTO的驱动电路;GTO的驱动电路;7.1 晶闸管 ;7.2 场效应??? ;7.2 场效应管 ;7.2 场效应管 ;7.2 场效应管 ;7.2 场效应管 ;7.2 场效应管 ;7.2 场效应管 ;7.2 场效应管 ;7.2 场效应管 ;7.2 场效应管 ;7.2 场效应管 ;亥钒嗓浩动逢范愈盐先麻堆毖只沃钢旁乔马奋仍颠扦捂住沮顷课余喘颤勺第七章++晶闸管和场效应管课件第七章++晶闸管和场效应管课件;7.2 场效应管
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