利用功率循环测试来分析汽车 IGBT 晶片中材料性能的降级.PDFVIP

利用功率循環測試來分析汽車 IGBT 晶片中材料性能的降級 作者 ：Andras Vass-Varnai 與 Zoltan Sarkany ，Mentor Graphics 機械分析部 汽車功率電子元件 （例如IGBT ）的設計必須能負荷數千小時的工作時間和上百萬次的功 率循環 ，同時得承受高達 200 °C 的溫度。因此產品的可靠性特別關鍵，而同時故障成本 也會是一個很大的問題。隨著工業電子系統對能量需求的增加，汽車功率電子設備和元件 的供應商所面臨的最大挑戰就是提供汽車 OEM 業者所需更高可靠度的系統。 隨著越來越高的能量負載壓力，功率電子創新帶來了一些新的技術，例如使用能夠增加熱 傳導係數的直接鍵合銅基板、優越的互連技術（粗封裝鍵合線、帶式鍵合等）和無焊料晶 片粘貼技術，都是用來增強模組的循環能力。這些新的基板有助於降低溫度，金屬帶可負 載更大的電流，而且無焊料晶片粘貼可以是燒結的銀，具有特別低的熱阻。所有的技術都 有助於改善元件 中的熱傳路徑 。但是，功率循環過程和熱效應所產生的熱及熱機械應力仍 然會造成系統故障。這些應力可能會導致很多問題，如封裝鍵合線降級、黏貼層疲勞、堆 疊脫層以及晶片或基板破裂。 結點位置的熱消散是影響 IGBT 晶片可靠性的主要因素之一 ，特別是晶片的粘貼層材料。 功率循環測試是仿效模組生命週期的理想方式 ，因根據所應用的領域 ，IGBT 模組的切換 次數是可被預測 。 本文主要描述結合功率循環測試和熱瞬態測試的量測研究 ，在此試驗中主要是利用功率循 環測試造成元件故障，同時在不同的穩態之間進行熱瞬態量測，用以確定 IGBT 樣品的故 障原因。這類型的測試能適當協助重新設計模組的物理結構 ，此外根據需求 ，它還可以模 擬熱機械應力的輸入。 測試的主要目的是利用可重複性的流程來研究當前 IGBT 模組中常出現的故障模式 。然而， 這些測試的數量並不足以預測產品的壽命期，但我們能藉此了解並試驗 IGBT 晶片中的降 級過程。我們首先對樣品進行熱瞬態測試 ，量測結果顯示，元件在熱瞬態試驗過程中，不 同穩態之間所需要的時間為 180 秒。元件在輸入 10A 的驅動電流時可達到最高溫 ，接著 在開始量測時則切換至 100 mA 的感測電流。 圖 1 顯示樣品在最初 “健康”狀態下的熱瞬態函數。此曲線和相對應的結構函數可作為封 裝結構詳細數值的校準基礎。結構函數是一維、縱向熱傳的模型。在許多常用的三維幾何 形狀中，結構函數是“實質”的一維熱傳模型，例如圓盤中的徑向擴散（極坐標系中的一 維流 ）、球面擴散、錐形擴散等。因此 ，結構函數可概括地辨認出外型/材料參數。結構 函數可藉由加熱或冷卻曲線的數學計算直接轉換求得 [1] 。這些曲線可從實際量測結果或 利用詳細的結構模型模擬熱傳路徑來獲得。 圖 1 ：IGBT 的熱瞬態反應 創建熱模擬模型 接著我們建立並驗證詳細的三維模型以便分析結構內部的溫度分佈。所有的幾何參數都會 在元件發生故障並拆解後進行量測 。圖2 是仿真模型的外觀 （圖3 是其剖面結構）。 我們藉由調整材料參數 ，直到瞬態模擬結果所產生的結構函數與量測結果的結構函數相重 合，如此一來我們可以確保所建立的模型運作方式與實際元件完全相同。此流程需要進行 多次的反覆計算 [2] 。 圖 2 ：仿真模型的外觀 。 圖 3 ：IGBT 模組結構圖 [3] 。 依據所量測的幾何外型以及對材料參數的猜測所創建的基礎模型顯示，熱瞬態的傳遞路徑 與實際元件有明顯差異。此類偏差可藉由校準模型且不斷地改善模型參數予以排除 。最後 可將瞬態模擬所獲得的結構函數 （圖4 中的紅色曲線）與實際元件的量測結果產生的結構 函數（藍色曲線）相互重疊 。 圖 4 ：基礎模型的模擬結果。 接著利用合適的封裝內部特徵來校準元件 ，然後沿著向外的熱傳路徑方向 ，不斷地擬合不 同區域的熱容和熱阻值。為了正確地校正熱容值 ，我們需確保晶片的物理尺寸正確無誤， 且熱源區域的設定正確。在這種情況下，需要增加受熱面積直到晶片區域的熱容值在結構 函數中互相重疊。 此外還需確保陶瓷層的熱阻設定在適當的範圍 。隨著陶瓷的熱傳導係數升高，結構函數中 相對應的熱阻區域可能需降低以達到另一部份的重疊 。下一步則是將元件與冷板間的銅底 層和介面材料 (TIM) 設定在適當的熱傳導係數使曲線能正確地相互匹配（圖 5 ）。 圖 5 ：模型校準後的所得到的結構函數 。模擬值（藍色）、量測值 （紅色） 在功率測試設備中試驗元件 一旦 IGBT 熱結構的初始狀態被記錄後 ，元件就可以進行可靠性