CH3太阳能电池的基本，测定与损失.docVIP

高效率太陽能電池的挑戰 綠色再生能源中，太陽能光電的發展受到極大矚目。太陽能電池目前的效率仍然不夠高，效率原因，太陽能電池效率原因各種電池的挑戰。6000K，而地表的溫度約在300K。根據，自太陽黑體輻射吸收能量最高卡諾效率（Carnot efficiency）經換算（1-Tsink/Tsource）為95%。數值並未考慮損耗之光子（photon）及聲子（phonon）所產生之熱能，若加以考量其熱能之損失 []。William Shockley與Hans Queisser等人藉由平衡極限原理計算得到，提出理想單一接面之太陽能電池的效率是材料能隙能量（Eg）的函數，當Eg～1.3eV時，在一個標準太陽照度(1sun)照射下的極限效率（亦稱S-Q極限）僅為33%，全聚光（46200 suns）下的極限效率為40%[6]。二者相差如此之大，原因係為電池在吸收太陽光並轉化成電能的過程中，各種方式的轉換過程導致的能量損失最終限制了它的效率[2-4]。p型及n型兩半導體相結合之p/n二極體。所示，Eγ (=hv，h 是普朗克常數，v是頻率)與半導體材料之能隙Eg (eV）之相對大小決定：Eγ=hν＜Eg，光子將直接穿透半導體材料而不產生Eγ=hν ≧Eg，半導體材料中之Eγ-Eg)將以聲子（熱）的方式釋放掉。 圖1 光子能量與半導體材料之能隙作用[3] 圖2為太陽能電池的電壓、電流與半導體半導體Eγ-Eg)並非被半導體材料半導體 圖2 電池的電壓、電流與大致說明了太太 光子能量不足之損失：當光子能量Eγ=hν小於Eg，光子將直接穿透半導體材料Eγ=hν大於等於Eg，光子將被半導體材料Eγ-Eg)以熱釋放出來； 反射損失：入射的入射的 開路電壓(voltage factor loss)之損失：：該部分之損失包含了(a)由-電洞對，(surface recombination loss)，(b)在(bulk recombination loss)以及(3)，(series resistance loss)。 每個階段的光子能量比例不同太陽能電池半導體材料與結構電池比例相乘便可以知道一個典型太陽能電池的(theoretical efficiency limit)。 圖 太陽能電池效率損失來源 能隙調整觀點的新世代太陽能電池的結構 由圖可得知，造成太陽能電池轉換效率不高的主要原因在於33%，可以知道有將近七成的能量不被轉換成電能，其中近五成是由於光譜損失。因此結合不同能隙之材料充分地利用太陽能光譜之能量 簡單的以圖4(a)來說明，所示為基本的多能太陽能電池之結構示意圖由照光面開始， 圖多能太陽能電池之結構[12] 針對能隙的問題，已經有學者提出新世代太陽能電池提高效率的結構。一般而言，使用材料的量子結構，如量子井、量子線、量子點、超晶格、和奈米顆粒，皆是一個提供額外的能階或能帶的一種方法。太陽能電池太陽能電池不僅能提供額外的能階，增加不同波長的光吸收，大幅抑制載子在能階間進行放射聲子的能量釋放可以增加載子通過衝擊離子化（Impact ionization）的機率，產生額外的電子-電洞對[]。 圖太陽能電池能帶示意圖 太陽能電池能超越目前矽基太陽能電池理論效率28%以上太陽能電池以多階層（Multi-level/band）太陽電池為主，太陽能電池材料結構，電子月刊，年月刊。 參考文獻 National Renewable Energy Laboratory (NREL), Golden, CO. 戴寶通，鄭晃忠，太陽能電池技術手冊，台灣電子材料與元件協會 發行出版。 翁敏航，楊茹媛，管鴻，晁成虎，太陽能電池元件-原理、元件、材料、製程與檢測技術，東華書局。莊嘉琛，太陽能工程-太陽電池篇，全華圖書股份有限公司。 K. W. J. Barnham, G. Duggan, “A new approach to high-efficiency multi-bandgap solar cells,” Journal of Applied Physic, vol. 67, pp.3490, 1990. J. Nelson, “Third generation solar cells.”, Department of Physics Imperial College London, (2007). A. Luque, “Will we exceed 50% efficiency in photovoltaics?”, Journal of Applied Physic, vol. 110, pp. 031301-1- 031301-19, 2011. K. R. Catchpole and M.A. Green, “Third generation p