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磁控溅射原理详细介绍课件
磁控溅射原理详细介绍;第一部分 真空镀膜基础;1.2 吸附几率和吸附时间;1.3 薄膜的形成;第一部分 真空镀膜基础;第一部分 真空镀膜基础;第一部分 真空镀膜基础; 用高能粒子(大多数是由电场加速的气体正离子)撞击固体表面(靶),使固体原子(分子)从表面射出的现象称为溅射。溅射现象很早就为人们所认识,通过前人的大量实验研究,我们对这一重要物理现象得出以下几点结论:; 溅射出来的物质沉积到基片或工作表面形成薄膜的方法称为溅射镀膜法。溅射镀膜基于荷能离子轰击靶材时的溅射效应,而整个溅射过程都是建立在辉光放电的基础之上的,即溅射离子都来源于气体放电。不同的溅射技术所采用的辉光放电方式有所不同,直流二极溅射利用的是直流辉光放电,磁控溅射是利用环状磁场控制下的辉光放电。
辉光放电是在真空度约为一的稀薄气体中,两个电极之间加上电压时产生的一种气体放电现象。
设有图2那样的一个直流气体放电体系。在阴阳两极之间由电动势为的直流电源提供电压和电流,并以电阻作为限流电阻。在电路中,各参数之间应满足下述关系:
V=E-IR;2.2 辉光放电; 在汤生放电阶段之后,气体会突然发生放电击穿现象。这时,气体开始具备了相当的导电能力,我们将这种具备了一定的导电能力的气体称为等离子体。此时,电路中的电流大幅度增加,同时放电电压却有所下降。这是由于这时的气体被击穿,因而气体的电阻将随着气体电离度的增加而显著下降,放电区由原来只集中于阴极边缘和不规则处变成向整个电极表面扩展。在这一阶段,气体中导电粒子的数目大量增加,粒子碰撞过程伴随的能量转移也足够地大,因此放电气体会发出明显的辉光。
电流的继续增加将使得辉光区域扩展到整个放电长度上,同时,辉光的亮度不断提高。当辉光区域充满了两极之间的整个空间之后,在放电电流继续增加的同时,放电电压又开始上升。上述的两个不同的辉光放电阶段常被称为正常辉光放电和异常辉光放电阶段。异常辉光放电是一般薄膜溅射或其他薄膜制备方法经常采用的放电形式,因为它可以提供面积较大、分布较为均匀的等离子体,有利于实现大面积的均匀溅射和薄膜沉积。
随着电流的继续增加,放电电压将会再次突然大幅度下降,而电流强度则会伴随有剧烈的增加。这表明,等离子体自身的导电能力再一次地迅速提高。此时气体放电开始进入弧光放电阶段。; 平面磁控溅射靶采用静止电磁场,磁场为曲线形。其工作原理如图3所示。电子在电场作用下,加速飞向基片的过程中与氢原子发生碰撞。若电子具有足够的能量(约为30eV)。时,则电离出Ar+并产生电子。电子飞向基片,Ar+在电场作用下加速飞向阴极溅射靶并以高能量轰击靶表面,使靶材发生溅射。在溅射粒子中,中性的靶原子(或分子)沉积在基片上形成薄膜。二次电子e1在加速飞向基片时受磁场B的洛仑兹力作用,以摆线和螺旋线状的复合形式在靶表面作圆周运动。该电子e1的运动路径不仅很长,而且被电磁场束缚在靠近靶表面的等离子体区域内。在该区中电离出大量的Ar+用来轰击靶材,因此磁控溅射具有沉积速率高的特点。随着碰撞次数的增加,电子e1的能量逐渐降低,同时,e1逐步远离靶面。低能电子e1将如图3中e3那样沿着磁力线来回振荡,待电子能量将耗尽时,在电场E的作用下最终沉积在基片上??由于该电子的能量很低,传给基片的能量很小,使基片温升较低。在磁极轴线处电场与磁场平行,电子e2将直接飞向基片。但是,在磁控溅射装置中,磁极轴线处离子密度很低,所以e2类电子很少,对基片温升作用不大。; 一般的溅射沉积方法具有两个缺点。第一,溅射方法沉积薄膜的沉积速度较低第二,溅射所需的工作气压较高,否则电子的平均自由程太长,放电不容易维持。这两个缺点的综合效果是气体分子对薄膜产生污染的可能性较高。因而,磁控溅射技术作为一种沉积速度较高,工作气体压力较低的溅射技术具有独特的优越性。磁控溅射技术的主要优缺点如下:
(1)沉积速率大。磁控溅射技术可以得到很大的离子流,大大地提高了溅射速率和沉积速率。与其它溅射方式相比,磁控溅射生产能力高,产量高,因此广泛应用于工业生产中。
(2)功率效率高。
(3)溅射能量低。磁控靶施加的电压低,等离子体被磁场约束在阴极附近,这样可抑制能量较高的带电粒子入射到基片上。
(4)基片温度低。随着电子碰撞次数的增加,其能量消耗殆尽,并逐步远离靶面,并在电场作用下最终沉积在基片上。由于该电子的能量很低,传给基片的能量很小,致使基片温升较低??
(5)靶刻蚀不均匀。对于小型圆形靶而言,由于靶磁场不均匀,使其局部位置刻蚀速率较大,使靶材利用率仅为
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