计算机电子电路技术 第5章 半导体器件10.15.ppt

第5章 半导体器件 5.1 半导体的基本知识 5.2 半导体二极管 5.3 半导体三极管 5.4 场效应晶体管 1. PN结的形成 物质从浓度大的地方向浓度小的地方运动叫扩散。当P型半导体和N型半导体结合在一起时，因为空穴在P区中是多子，在N区中是少子；同样，电子在N区中是多子，在P区中是少子，所以在P、N两区交界处，由于载流子浓度的差异，要发生电子和空穴的扩散运动，多子都要向对方区域移动。当电子和空穴相遇时会复合消失。假设扩散运动的方向由正指向负(P区指向N区)，则空穴将顺扩散运动方向移动，电子将逆扩散运动方向移动。 扩散的结果在两区交界处的P区一侧，出现了一层带负电荷的粒子区(即不能移动的负离子)；在N区一侧，出现了一层带正电荷的粒子区(即不能移动的正离子)，形成了一个很薄的空间电荷区，这就是PN结，如图。 2. PN结的单向导电特性 (1)当0≤Uf＜UT时，UT为死区电压，或称门坎电压。这时由于外电场还不足以克服内电场对载流子扩散所造成的阻力，所以正向电流If几乎为零，PN结呈现出一个大电阻，好像有一个门坎。 (2)当Uf≥UT后，这时在外电场的作用下，内电场被大大削弱，多子不断地向对方区域扩散，且进入空间电荷区后，一部分空穴会与负离子中和，一部分电子会与正离子中和，使空间电荷量减少，PN结变窄。 空间电荷区中载流子数量的增加，相当于PN结电阻的减小。这样，载流子就能顺利地越过PN结，形成闭合的回路，产生较大的正向电流If。因为外电源不断地向半导体提供空穴和电子，所以使电流If得以维持。PN结的正向特性曲线如图5.10(b)所示。 (1) 空间电荷区变窄的过程，相当于载流子充进了PN结。P区一侧充正电(充入空穴)，N区一侧充负电(充入电子)，这现象如同一个电容器的充电，此电容称为耗尽层电容Ct。它是由耗尽层内电荷存储作用引起的。我们知道, 耗尽层内有不能运动的正负离子, 因而该层缺少载流子, 导电率很低, 相当于介质, 而它两边的P区和N区导电率相对很高, 相当于金属。当外加电压改变时, 耗尽层的电荷量也要改变, 引起电容效应, 耗尽层有势垒, 因此称为势垒电容。 外加反向电压UR促使PN结转化为截止状态 反向电压又称为反向偏置电压，简称反偏电压。当PN结外加反向电压UR(外电源的正极接N区，负极接P区)时，如图所示，外电场方向与自建电场方向一致，加强了漂移运动，削弱了扩散运动。这时在外电场的作用下，空间电荷量增加，PN结变宽，如图。空间电荷区中几乎无载流子，近似于电路的开路状态，扩散电流趋于零。这时由热激发产生的少子，可以在结电场的作用下通过PN结，形成反向电流IR，但因为少子数量有限，IR很小，所以这时仍可认为PN结是截止的。 因此，PN结处于反偏时，电阻是很大的。PN结的反向特性曲线如图所示。 IR有时也称为反向饱和电流IS。这是因为当温度不变时，少子的浓度不变，所以在一定的电压范围内，IR几乎不随反偏电压的增加而变大，见图。但温度升高会使少子增加，故IR会随温度的上升而增长很快，这就是PN结的温度特性。 由此可见，PN结具有单向导电的特性及温度特性。 需要指出的是： (1) 空间电荷区变宽的过程，相当于PN结放出载流子的过程。这现象如同一个电容器的放电，如前所述，此电容称为耗尽电容(势垒电容)Ct。 (2) PN结处于反偏时，载流子数目很少，故反向扩散电容Cd很小，可忽略。这时CtCd。 由上节可知，PN结上有耗尽层电容Ct和扩散电容Cd,我们通常用结电容Cj来表征PN结的电容效应： Cj=Ct+Cd 结电容的充、放电效应与普通电容相似，不同的是结电容的容量大小要随外加电压的大小而改变。 当PN结运用在高频时，要考虑到结电容的作用。PN结的高频等效电路如图5.12所示。 当PN结反偏电压UR超过某一数值时，反 向电流IR会突然增大，出现反向电压击穿 现象，简称为反向击穿。发生反向击穿所 需的电压称为反向击穿电压UB。PN结的反 向击穿特性曲线如图5.13所示。 反向击穿现象有两种类型： (1)雪崩击穿。当反向电压太高时，载流子在阻挡层中将受到强烈的电场加速作用，获得足够的能量去碰撞原子，产生新的电子—空穴对。被撞