硅位错核心结构无悬挂键.pdfVIP

　第 19 卷第 6 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 19, . 6　 V o l N o 　1998 年 6 月　　　　　　 　　　　　　 , 1998　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S June 硅的位错核心结构无悬挂键 昝育德 ( 中国科学院半导体研究所　北京　100083) 摘要　本文应用物理学平衡状态下能量最低的基本原理, 通过分析透射电镜晶格象, 制作了 90 °、30 °分位错及Co tterll 位错等一系列的模型, 说明硅中位错核心无悬挂键. PACC: 6170G 1　引言 蓝宝石上外延硅(SO S) 异质外延