.第二章半导体二极管及其基本电路.pptVIP

学习指导 电子技术是当代高新技术的龙头。 半导体器件是电子技术的重要组成部分。 PN结是半导体器件的核心环节。 半导体二极管是由一个PN结构成的半导体器件,在电子电路中有广泛的应用。? 主要内容: 1、半导体的基本知识; 2、PN结的形成及特点; 3、半导体二极管的结构、特性、参数、模型及应用电路。 学习目标： 1、掌握以下基本概念：半导体材料的特点、空穴、自由电子、多数载流子、少数载流子、扩散运动、漂移运动、PN结正偏、PN结反偏； 2、了解PN结的形成过程及半导体二极管的单向导电性； 3、掌握半导体二极管的伏安特性及其电路的分析方法； 4、正确理解半导体二极管的主要参数； 5、掌握稳压管工作原理及使用中的注意事项，了解选管的一般原则。 2.1.1 半导体特性 常用的半导体材料有： 元素半导体：硅（Si）、锗（Ge） 化合物半导体：砷化镓（GaAs） 掺杂材料：硼(B)、铟(In)；磷(P)、锑(Sb)。 2.1.2 半导体的共价键结构 2.4 二极管基本电路及其分析方法 2.4.1 二极管V- I 特性的建模 2.4.2 应用举例 2.4.1 二极管V- I 特性的建模 1. 理想模型 3. 折线模型 2. 恒压降模型 正偏时导通，管压降为0V;反偏时截止，电流为0。 管子导通后,管压降认为是恒定的,典型值为0.7V。 管压降不是恒定的,而是随电流的增加而增加。 4. 小信号模型 二极管工作在正向特性的某一小范围内时，其正向特性可以等效成一个微变电阻。 即 根据 得Q点处的微变电导 则 常温下（T=300K） 2.4.1 二极管V- I 特性的建模 5. 指数模型 较完整 且较准确 2.4.2 应用举例 1. 二极管的静态工作情况分析 理想模型 （R=10k?） （1）VDD=10V 时 恒压模型 （硅二极管典型值） 折线模型 （硅二极管典型值） 设 （2）VDD=1V 时 （自看） 例2.4.2 提示 2.4.2 应用举例 2. 限幅电路 2.5 特殊二极管 2.5.1 稳压二极管 2.5.2 变容二极管 2.5.3 光电子器件 1. 光电二极管 2. 发光二极管 2.5.1 稳压二极管 稳压特性 稳压原理：在反向击穿时，电流在很大范围内变化时，只引起很小的电压变化。 正向部分与普通二极管相同 RZ VZ 稳压管稳压时必须工作在反向电击穿状态。 当反向电压加到一定值时，反向电流急剧增加，产生反向击穿。 (1) 稳定电压VZ (2) 动态电阻rZ 在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。 rZ =?VZ /?IZ (3)最大耗散功率 PZM (4)最大稳定工作电流 IZmax 和最小稳定工作电流 IZmin (5)稳定电压温度系数——?VZ 特性参数 2.5.1 稳压二极管 稳压管工作时应反接，并串入一只电阻。电阻的作用一是起限流作用，以保护稳压管。二是当输入电压或负载电流变化时，通过电阻上压降的变化，取出误差信号以调节稳压管的工作电流，从而起到稳压作用。 应用方法 2.5.1 稳压二极管 稳压电路 IZmin ≤ IZ ≤ IZmax VI VO IZ IR VR VO 2.5.2 变容二极管 变容二极管是利用结势垒电容C随外加电压V的变化而变化的特点制成的二极管。 符号： 注意：使用时应外加反向电压 0 -V/V C/pF * 2.1 半导体的基本知识 2.3 半导体二极管 2.4 二极管基本电路及其分析方法 2.5 特殊二极管 2.2 PN结的形成及特性 2 半导体二极管及其基本电路 小结 2.6 二极管的应用 学习指导 作业 2.1 半导体的基本知识 2.1.1 半导体特性 2.1.2 半导体的共价键结构 2.1.3 本征半导体 2.1.4 杂质半导体 ? 何谓半导体 物体分类 导体 如：金属 绝缘体 如：橡胶、云母、塑料等。 — 导电能力介于导体和绝缘体之间。 半导体 ? 半导体特性 掺入杂质则导电率增加几百倍 掺杂特性 半导体器件 温度增加使导电率大为增加 热敏特性 热敏器件 光照不仅使导电率大为增加还可以产生电动势 光敏特性 光敏器件 光电器件 硅和锗的原子结构简化模型及晶体结构 价电子是我们要研究的对象 硅晶体的空间排列 2.1.3 本征半导体 本征半导体 完全纯净、结构完整的半导体晶体。 纯度：99.9999999%，“九个9” 它在物理结构上呈单晶体形态。 常用的本征半导体 Si +14 2 8 4 Ge +32 2 8 18 4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 共价键内的电子 称