仿真方式工艺仿真 器件仿真器件构建 器件仿真 - 浙江大学信电系.ppt

* */138 34... COMMENT Specify contact parameters 接触材料特性 35... CONTACT NAME=Gate N.POLY 36... COMMENT Specify physical models to use 选择模型 37... MODELS CONMOB FLDMOB SRFMOB2 （CONMOB：杂质分布有关, FLDMOB：电场分布有关，SRFMOB2：表面迁移率降低效应被考虑 ） 38... COMMENT Symbolic factorization, solve, regrid on +potential 解法，求解 39... SYMB CARRIERS=0 （选用了Poisson来解方程, 势能,载流子类型为 零） * */138 40... METHOD ICCG DAMPED 41... SOLVE （初始条件设置为0 ） 42... REGRID POTEN IGNORE=OXIDE RATIO=.2 MAX=1  + SMOOTH=1 IN.FILE=MDEX1DS OUT.FILE=MDEX1MS （基于电势的变化进行优化，MAX：原始网格最大的划分次数，smooth＝1：各个区域边界不变） 43... PLOT.2D GRID TITLE=“Example 1 - Potential Regrid” FILL +SCALE 44... COMMENT Solve using the refined grid, save solution for +later use 再求解 * */138 分别基于浓度与电势优化的NMOS器件结构仿真图 * */138 45... SYMB CARRIERS=0 46... SOLVE OUT.FILE=MDEX1S （ 输出求解结果） 47... COMMENT Impurity profile plots （浓度分布图） 48... PLOT.1D DOPING X.START=.25 X.END=.25 Y.START=0  + Y.END=2 Y.LOG POINTS BOT=1E15 TOP=1E21 COLOR=2 + TITLE=“Example 1 - Source Impurity Profile” 49... PLOT.1D DOPING X.START=1.5 X.END=1.5 Y.START=0  + Y.END=2 Y.LOG POINTS BOT=1E15 TOP=1E17 COLOR=2 + TITLE=“Example 1 - Gate Impurity Profile” * */138 栅端的杂质分布图 源端的杂质分布图 * */138 50... PLOT.2D BOUND TITLE=“Example 1 - Impurity + Contours” FILL SCALE （Bound：包括器件的边界） 51... CONTOUR DOPING LOG MIN=16 MAX=20 DEL=.5 + COLOR=2 52... CONTOUR DOPING LOG MIN=-16 MAX=-15 DEL=.5 + COLOR=1 LINE=2 （CONTOUR语句用来在最近的一个PLOT.2D语句上绘制各种物理参量的二维特性 。 MIN和MAX则指定了参数的显示范围，负数表示P型掺杂，正数表示N型掺杂 。DEL：相邻曲线之间的参数间隔） * */138 NMOS的P型杂质与N型杂质分布图 * */138 4.2 栅特性模拟(mdex1g) 1... TITLE TMA MEDICI Example 1G - 1.5 Micron N- +Channel MOSFET 2... COMMENT Calculate Gate Characteristics 3... COMMENT Read in simulation mesh 读入网格 4... MESH IN.FILE=MDEX1MS 5... COMMENT Read in saved solution 6... LOAD IN.FILE=MDEX1S 读入初解 * */138 7... COMMENT Use Newton’s method for the solution 8... SYMB