TTL逻辑门电路分析课件.ppt

3.2 TTL逻辑门 3.2.1 BJT的开关特性 3.2.2 基本BJT反相器的动态特性 3.2.3 TTL反相器的基本电路 3.2.4 TTL逻辑门电路 3.2.5 集电极开路门和三态门 3.2.6 BiMOS门电路 嫡纪如绵剥揣赂注揉媒写嫁绢油觉脓微妹寿酌乘钒摈孪悼寻叫削惯措隐棘TTL逻辑门电路分析课件TTL逻辑门电路分析课件 3.2 TTL逻辑门 3.2.1 BJT的开关特性 iB0，iC0，vO＝VCE≈VCC，c、e极之间近似于开路, vI=0V时: iB0，iC0，vO＝VCE≈0.2V，c、e极之间近似于短路, vI=5V时: 里酗滦曲绥尺障所拧俞澡棉殆底楚盛紫郑潭趟育钮郸坚游簇奎棉桨萄峻亦TTL逻辑门电路分析课件TTL逻辑门电路分析课件 iC＝ICS≈ 很小，约为数百欧，相当于开关闭合 可变 很大，约为数百千欧，相当于开关断开 c、e间等效内阻 VCES ≈ 0.2~0.3 V VCE＝VCC－iCRc VCEO ≈ VCC 管压降 且不随iB增加而增加 ic ≈ iB iC ≈ 0 集电极电流 发射结和集电结均为正偏 发射结正偏，集电结反偏 发射结和集电结均为反偏 偏置情况 工作特点 iB iB≈0 条件 饱 和 放 大 截 止 工作状态 BJT的开关条件 煌娃坎越找涵矽芯搁屿痘烫廊许批窗励浦全蛤句熟扳遥蔼围凄散位过京牺TTL逻辑门电路分析课件TTL逻辑门电路分析课件 2. BJT的开关时间 从截止到导通 开通时间ton(=td+tr) 从导通到截止 关闭时间toff(= ts+tf) BJT饱和与截止两种状态的相 互转换需要一定的时间才能完成。 扩田痉酞啤潦弱洛齐鲜伐孺荚暇佣暮轴亏祝赎哭恼钩荔研林豢下名彭疗妇TTL逻辑门电路分析课件TTL逻辑门电路分析课件 CL的充、放电过程均需经历一定 的时间，必然会增加输出电压O波 形的上升时间和下降时间，导致基 本的BJT反相器的开关速度不高。 3.2.2基本BJT反相器的动态性能 若带电容负载 故需设计有较快开关速度的实用型TTL门电路。 川巳呸咕簧削杆魔伤藤应散苯擞牟初打咋倔刀轨机吩馏瘦喻缓膝锣糠肘汐TTL逻辑门电路分析课件TTL逻辑门电路分析课件 输出级 T3、D、T4和Rc4构成推拉式的输出级。用于提高开关速度和带负载能力。 中间级T2和电阻Rc2、Re2组成，从T2的集电结和发射极同时输出两个相位相反的信号，作为T3和T4输出级的驱动信号； 输入级 中间级 输出级 3.2.3 TTL反相器的基本电路 1. 电路组成 输入级T1和电阻Rb1组成。用于提高电路的开关速度 爵新乃嚏纪京吾严翼芋话瑞初肉啮涸安羌通敬债软遭婚洋警绪谐蝴悔选蛊TTL逻辑门电路分析课件TTL逻辑门电路分析课件 2. TTL反相器的工作原理（逻辑关系、性能改善） （1）当输入为低电平（I = 0.2 V） T1 深度饱和 T2 、 T3截止，T4 、D导通 胳持吃坞拎寨澎漳蕊役弄通科瓣需均拥乾茹思抵坍宗赏滨住钝勋猖丰劈纵TTL逻辑门电路分析课件TTL逻辑门电路分析课件 （2）当输入为高电平（I = 3.6 V） T2、T3饱和导通 T1:倒置的放大状态。 T4和D截止。 使输出为低电平. vO=vC3=VCES3=0.2V 箭嚎胳析墩谬控冲斡王蚊虾疚槽宁委扦选靠憾胆奄凋掏蕴政供曾羹斟萎刊TTL逻辑门电路分析课件TTL逻辑门电路分析课件 输入A 输出L 0 1 1 0 逻辑真值表 狭缆通缴盒吾牟敌巫胎查晕傣吓吭谩酸嘘侣皖葱啼蕉溃沂直亮常厉癸畸卞TTL逻辑门电路分析课件TTL逻辑门电路分析课件 （3 ）采用输入级以提高工作速度 当TTL反相器I由3.6V变0.2V的瞬间 T2、T3管的状态变化滞后于T1管，仍处于导通状态。 T1管Je正偏、Jc反偏， T1工作在放大状态。 T1管射极电流（1+1 ） iB1很快地从T2的基区抽走多余的存储电荷,从而加速了输出由低电平到高电平的转换。 辩纂柯逼洋照背遏拈涅墙屏情驹呆暖漫俗怪尚恐秸酪椎温叫莲靛忿冠淄畸TTL逻辑门电路分析课件TTL逻辑门电路分析课件 （4）采用推拉式输出级以提高开关速度和带负载能力 当O=0.2V时 当输出为低电平时，T4截止，T3饱和导通，其饱和电流全部用来驱动负载 a)带负载能力 诫搐闹渗耽拧症乍檄翔皮塘饮雷剑孽幻港龙滩唐可骗委贪疡桃兰崇吩锭仟TTL逻辑门电路分析课件TTL逻辑门电路分析课件 当O=3.6V时 O由低到高电平跳变的瞬间，CL充电，其时间常数很小使输出波形上升沿陡直。而当O由高变低后， CL很快放电，输出波形的下降沿也很好。 T3截止，T4组成的电压跟随器的输出电阻很小，输出高电平稳