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SOILDMOS器件纵向耐压技术的研究进展
18 5 Vol. 18 ，No. 5
第 卷第 期 功能材料与器件学报
2012 10 JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES Oct．，2012
年 月
文章编号:1007 － 4252 (20 12)05 － 0403 － 09
SOI LDMOS 器件纵向耐压技术的研究进展
， ， ， ，
徐光明 郭宇锋 花婷婷 徐跃 吉新春
( ， 210003)
南京邮电大学电子科学与工程学院 江苏南京
:SOI LDMOS SOI ， 。
摘要 是 高压集成电路的核心器件 而纵向击穿电压是制约其性能的关键 本文
SOI LDMOS ; SOI ，
首先指出了常规 纵向耐压低的原因 然后介绍了 高压器件纵向耐压理论 分析了
SOI ( SOI 、 、 k )
该理论中三种改善 器件纵向耐压技术 超薄 技术 界面电荷技术 低 介质层技术 的工
; ， SOI
作原理 而后基于这三种技术 对近年来国内外在 纵向耐压方面所做的工作进行了分类和总
， ; 。
结 分析了各自的优缺点 最后对未来技术的发展进行了展望
:LDMOS ; SOI ; ; k ;
关键词 超薄 界面电荷 低 介质 纵向耐压
中图分类号:TN386 文献标识码:A
Progress in the Research of Vertical Voltage － Sustaining
Technology in SOI LDMOS Device
XU Guang-ming ，GUO Yu-feng ，HUA Ting-ting ，XU Yue ，JI Xin-chun
(College of Electronics science＆Engineerning ，Nanjing University of Posts
and Telecommunications ，Nanjing 210003 ，China)
Abstract :SOI LDMOS device is the core of SOI HVIC ，and the vertical breakdown voltage is the key to
restrict its performance． First ，this paper points out the rea
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