半导体元器件-Read.PPT

第3章 场效应管 第3章 场效应管 *1 场效应管：具有正向受控作用的半导体器件。 是单极型晶体管。 *2 场效应管类型： 结型（JFET）：P沟道，N沟道 金属-氧化物-半导体型（MOSFET）： 增强型（EMOS）： P沟道，N沟道 耗尽型（DMOS）： P沟道，N沟道 MOS场效应管 1 EMOS场效应管（N沟道） 1） 结构 符号 2 工作原理 在VGS作用下，D-S间形成导电沟道；在VDS作用下，S区电子沿导电沟道进到D区。 1） VGS =0 VDS＞0 由于U-D极PN结是反向 偏置的，中间P型衬底 基本没有电子，所以 D极和S极彼此之间 有效地绝缘开了。 此时NMOS管处于 截止状态，ID=0。 2）VGS ＞0 VDS＝0 向下的电场将排斥氧化层下面 P型衬底薄层（表面层）中 的空穴，使受主负离子露出 开始形成耗尽层。可动 载流子很少，ID≈0 3） VGS ↑ =VGST VDS＝0 VGS ↑→表面层感应负电荷↑ →耗尽层↑→耗尽层上面的 表面层内感应自由电子浓度n↑ 空穴浓度p↓→形成反型层→ 产生导电沟道。 *1 反型条件： *2 反型层 *3 开启电压VGST 4）VGS ＞VGST VDS＞0 在VDS 作用下， ID ＞0 5） VGS ＞VGST VDS↑＞ VGS –VGST *1 VGS ＞VGST 时 VDS↑→ 靠近漏极的耗尽层↑ *2 当VDS↑＞ VGS –VGST 时， 耗尽层将夹断靠近漏端的 导电沟道。——夹断 *3 夹断电压：VDS= VGS –VGST *4 夹断时，漏极到源极之间 仍然导电 *5 当VGS＞ VGST 如果 VDS＜ VGS –VGST，那么 VDS↑→ID↑ 如果 VDS＞ VGS –VGST ，那么多余的电压降落在耗尽层上， ID 饱和。 3 伏安特性 IG=0 1）电阻区 （ 线性区，非饱和区） 条件：VGS＞ VGST VDS ＜ VGS- VGST （ VGD＞ VGST） 2）饱和区（放大区） 条件：VGS VGST VDS ＞ VGS- VGST（ VGD＜ VGST） *1 忽略沟道长度调制效应，令VDS = VGS- VGST代入 *2 计及沟道长度调制效应 3）截止区 条件：VGS＜ VGST 沟道未形成 ID=0 4）击穿区 VDS ↑→D-U间的PN结击穿→ID↑↑ * VGS 过大→SiO2绝缘层击穿→管子永久损坏。 保护电路 * 衬底效应：N（P）沟道MOS管衬底必须接在电路的最低（高）电位上。 保证U-S，U-D间PN结反偏. 4 P沟道EMOS场效应管 耗尽型MOS（DMOS） 1) N沟道 2）P沟道 6 小信号电路模型（工作在放大区） 饱和区（放大区） 若U-S间不连接，且存在交流量 分析方法 例2：假设一个N沟道EMOS场效应管，通过测量得到VGST=2V，VGS=VDS=5V，ID=3mA。求饱和出现时VDS值，VDS=1V时ID值。 解：1）饱和出现时 VDS= VGS - VGST =5V-2V=3V VDS3V时MOS管饱和 2）当VDS=1V（ VGS - VGST ）时，MOS管在电阻区。 3.2 结型场效应管 1 结构 符号 1）N沟道JFET 2） P沟道JFET 2 工作原理 * 工作时，VGS＜0，使G-沟道间的PN结反偏， IG=0，场效应管呈现高（107Ω）的输入电 阻。 VDS＞0，使N沟道中的多子（电子） 在电场作用下由S→D运动，形成 ID 。 ID的大小受VGS控制。 1） VGS对ID的控制作用 设VDS=0 若 a) VGS=0 b) VGS（off)＜VGS＜0 c) VGS≤ VGS（off)