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半导体量子器件物理讲座高电子迁移率晶体管HEMT
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讲 座
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半导体量子器件物理讲座
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第二讲 高电子迁移率晶体管（ ）
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王 良 臣
（中国科学院半导体研究所 北京 !#$ ）
摘 要 文章从异质界面的三角势阱中二维电子气的形成入手，计算了二维电子气的量子化能级及其面电子密
度% 对’() 器件材料结构参数的优化、器件的电荷控制模型及 ! * 特性作了分析%
关键词 二维电子气，高电子迁移率晶体管，势阱
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! 前言 本讲从异质结构中的JK’. 形成入手，分析
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